[发明专利]晶边偏移检测方法及系统、机台有效
申请号: | 201710133989.7 | 申请日: | 2017-03-08 |
公开(公告)号: | CN108573886B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 汪红英;孙强;陈思安 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏移 检测 方法 系统 机台 | ||
1.一种晶边偏移检测方法,用于检测位于晶圆一面的晶边是否偏移,所述晶圆包括图形区以及位于所述图形区外侧的晶边,其特征在于,包括:
分别沿至少两条直线向所述晶圆的一面发出光,至少两条所述直线非平行设置,并在所述直线处接受所述晶圆的反射光,所述直线平行于所述晶圆,且所述直线跨过部分所述图形区;
对所述反射光的强弱进行统计后,判断所述反射光在所述直线处的强度;如果所述反射光在所述直线处的强度区间依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间,其中,所述第一强度区间和第三强度区间内的强度均小于第二强度区间的强度,则计算所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度;
判断所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度是否相等,如果相等,则所述晶圆的晶边未偏移;否则,所述晶圆的晶边偏移。
2.如权利要求1所述的晶边偏移检测方法,其特征在于,所述直线跨过所述晶圆的圆心。
3.如权利要求1所述的晶边偏移检测方法,其特征在于,分别沿多个所述直线向所述晶圆发出光,多个所述直线非平行设置。
4.如权利要求3所述的晶边偏移检测方法,其特征在于,至少两个所述直线相互垂直。
5.如权利要求1所述的晶边偏移检测方法,其特征在于,所述第一强度区间和第三强度区间内所述反射光的强度均小于一预设标准,所述第二强度区间内所述反射光的强度均大于一预设标准。
6.一种用于如权利要求1至5中任意一项所述的晶边偏移检测方法的晶边偏移检测系统,其特征在于,包括:
光发射器,沿至少一直线向所述晶圆的一面发出光,所述直线平行于所述晶圆,且所述直线跨过部分所述图形区;
光接收器,在所述直线处接受所述晶圆的反射光;以及
统计单元,对所述反射光的强弱进行统计。
7.如权利要求6所述的晶边偏移检测系统,其特征在于,所述光发射器和所述光接收器同时沿所述直线运动跨过所述晶圆,所述光发射器实时向所述晶圆发出所述光,所述光接收器实时接受所述晶圆的反射光。
8.如权利要求6所述的晶边偏移检测系统,其特征在于,所述晶边偏移检测系统还包括分析单元,所述分析单元判断所述反射光在所述直线处的强度,如果所述反射光在所述直线处的强度区间依次为第一强度区间、第二强度区间和第三强度区间,其中,所述第一强度区间和第三强度区间内的强度均小于第二强度区间的强度,则所述分析单元计算所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度;所述分析单元判断所述第一强度区间的宽度和第三强度区间的宽度是否相等,如果相等,则所述晶圆的晶边未偏移;否则,所述晶圆的晶边偏移。
9.如权利要求8所述的晶边偏移检测系统,其特征在于,所述晶边偏移检测系统还包括警报单元,所述警报单元连接所述分析单元,如果所述晶圆的晶边偏移,则所述警报单元发出警报。
10.如权利要求6所述的晶边偏移检测系统,其特征在于,所述晶边偏移检测系统还包括光电转化单元,所述光电转化单元连接所述统计单元和光接收器,所述光电转化单元将所述光接收器接收到的光信号转化为电信号后,将所述电信号发送给所述统计单元。
11.如权利要求6所述的晶边偏移检测系统,其特征在于,所述晶边偏移检测系统还包括显示单元,对所述反射光的统计结果进行显示。
12.如权利要求11所述的晶边偏移检测系统,其特征在于,所述统计结果为所述反射光在不同位置的图和/或所述反射光在不同位置的表。
13.如权利要求6所述的晶边偏移检测系统,其特征在于,所述晶边偏移检测系统还包括支架,所述支架上设置有至少一轨道,所述轨道在所述直线上延伸,所述光发射器和所述光接收器在所述轨道上运动。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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