[发明专利]图像传感器及其形成方法、图像传感器母板、指纹成像模组在审
申请号: | 201710133560.8 | 申请日: | 2017-03-08 |
公开(公告)号: | CN108573985A | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 曲志刚;朱虹 | 申请(专利权)人: | 上海箩箕技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G06K9/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 像素阵列 封装结构 指纹成像 基底 模组 母板 像素单元 阵列排布 信噪比 透射 准直 封装 切割 隔离 | ||
1.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:
提供基底;
在所述基底上形成多个像素阵列,所述像素阵列包括呈阵列排布的像素单元,相邻像素阵列之间具有划片道;
在所述像素阵列上形成封装结构层,所述封装结构层用于实现所述像素阵列的封装隔离,并对透射所述像素阵列的光线起到准直的作用;
形成所述封装结构层之后,沿所述划片道切割所述基底,以获得所述图像传感器。
2.如权利要求1所述的形成方法,其特征在于,形成所述封装结构层的步骤包括:
在所述基底上形成支撑层,所述支撑层内具有通光开口,所述通光开口底部露出所述像素单元;
向所述通光开口内填充封装材料,形成封装块;
在所述支撑层和所述封装块上形成保护层。
3.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,形成所述支撑层的步骤包括:
在所述基底上进行第一成膜处理,形成支撑材料层,所述支撑材料层覆盖所述划片道和所述像素阵列;
对所述支撑材料层进行第一图形化处理,去除所述划片道上的支撑材料层,并形成所述支撑层和所述通光开口。
4.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,形成所述封装块的步骤包括:
在所述基底上进行第二成膜处理,形成封装材料层,所述封装材料层覆盖所述划片道并填充于所述通光开口内;
对所述封装材料层进行第二图形化处理,去除所述划片道上的封装材料层,形成位于所述通光开口内的封装块。
5.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,形成所述保护层的步骤包括:
在所述基底上进行第三成膜处理,形成保护材料层,所述保护材料层覆盖所述划片道、所述支撑层和所述封装块;
对所述保护材料层进行第三图形化处理,去除所述划片道上的保护材料层,形成所述保护层。
6.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,所述封装块材料的折射率大于所述支撑层材料的折射率。
7.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,所述通光开口的深宽比大于1。
8.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,所述通光开口底部露出一个或多个像素单元。
9.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,所述保护层为单层结构或叠层结构。
10.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,形成封装块之后,形成保护层之前,所述形成方法还包括:形成覆盖所述封装块和所述支撑层的平坦层;
形成保护层的步骤中,形成位于所述平坦层上的保护层。
11.如权利要求10所述的形成方法,其特征在于,所述平坦层的材料与所述封装块材料折射率相同。
12.如权利要求10所述的形成方法,其特征在于,形成所述平坦层的步骤包括:
在所述基底上进行平坦成膜处理,形成平坦材料层,所述平坦材料层覆盖所述划片道、所述封装块以及所述支撑层;
对所述平坦材料层进行平坦图形处理,去除划片道上的平坦材料层,形成所述平坦层。
13.一种图像传感器,其特征在于,包括:
基底;
像素阵列,位于所述基底上,所述像素阵列包括呈阵列排布的多个像素单元;
封装结构层,位于所述像素阵列上,所述封装结构层用于实现所述像素阵列的封装隔离,并对透射所述像素阵列的光线起准直作用。
14.如权利要求13所述的图像传感器,其特征在于,所述封装结构层包括:
封装块,位于所述像素单元上;
支撑层,位于所述基底上,且环绕所述封装块和所述像素单元;
保护层,位于所述支撑层和所述封装块上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的