[发明专利]图像传感器及其形成方法、图像传感器母板、指纹成像模组在审

专利信息
申请号: 201710133560.8 申请日: 2017-03-08
公开(公告)号: CN108573985A 公开(公告)日: 2018-09-25
发明(设计)人: 曲志刚;朱虹 申请(专利权)人: 上海箩箕技术有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;G06K9/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 吴敏
地址: 201203 上海市浦东新区中国(上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 像素阵列 封装结构 指纹成像 基底 模组 母板 像素单元 阵列排布 信噪比 透射 准直 封装 切割 隔离
【权利要求书】:

1.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:

提供基底;

在所述基底上形成多个像素阵列,所述像素阵列包括呈阵列排布的像素单元,相邻像素阵列之间具有划片道;

在所述像素阵列上形成封装结构层,所述封装结构层用于实现所述像素阵列的封装隔离,并对透射所述像素阵列的光线起到准直的作用;

形成所述封装结构层之后,沿所述划片道切割所述基底,以获得所述图像传感器。

2.如权利要求1所述的形成方法,其特征在于,形成所述封装结构层的步骤包括:

在所述基底上形成支撑层,所述支撑层内具有通光开口,所述通光开口底部露出所述像素单元;

向所述通光开口内填充封装材料,形成封装块;

在所述支撑层和所述封装块上形成保护层。

3.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,形成所述支撑层的步骤包括:

在所述基底上进行第一成膜处理,形成支撑材料层,所述支撑材料层覆盖所述划片道和所述像素阵列;

对所述支撑材料层进行第一图形化处理,去除所述划片道上的支撑材料层,并形成所述支撑层和所述通光开口。

4.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,形成所述封装块的步骤包括:

在所述基底上进行第二成膜处理,形成封装材料层,所述封装材料层覆盖所述划片道并填充于所述通光开口内;

对所述封装材料层进行第二图形化处理,去除所述划片道上的封装材料层,形成位于所述通光开口内的封装块。

5.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,形成所述保护层的步骤包括:

在所述基底上进行第三成膜处理,形成保护材料层,所述保护材料层覆盖所述划片道、所述支撑层和所述封装块;

对所述保护材料层进行第三图形化处理,去除所述划片道上的保护材料层,形成所述保护层。

6.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,所述封装块材料的折射率大于所述支撑层材料的折射率。

7.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,所述通光开口的深宽比大于1。

8.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,所述通光开口底部露出一个或多个像素单元。

9.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,所述保护层为单层结构或叠层结构。

10.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,形成封装块之后,形成保护层之前,所述形成方法还包括:形成覆盖所述封装块和所述支撑层的平坦层;

形成保护层的步骤中,形成位于所述平坦层上的保护层。

11.如权利要求10所述的形成方法,其特征在于,所述平坦层的材料与所述封装块材料折射率相同。

12.如权利要求10所述的形成方法,其特征在于,形成所述平坦层的步骤包括:

在所述基底上进行平坦成膜处理,形成平坦材料层,所述平坦材料层覆盖所述划片道、所述封装块以及所述支撑层;

对所述平坦材料层进行平坦图形处理,去除划片道上的平坦材料层,形成所述平坦层。

13.一种图像传感器,其特征在于,包括:

基底;

像素阵列,位于所述基底上,所述像素阵列包括呈阵列排布的多个像素单元;

封装结构层,位于所述像素阵列上,所述封装结构层用于实现所述像素阵列的封装隔离,并对透射所述像素阵列的光线起准直作用。

14.如权利要求13所述的图像传感器,其特征在于,所述封装结构层包括:

封装块,位于所述像素单元上;

支撑层,位于所述基底上,且环绕所述封装块和所述像素单元;

保护层,位于所述支撑层和所述封装块上。

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