[发明专利]具有双层亚波长光栅反射镜的垂直腔面发射半导体激光器

权利要求书

1.一种具有双层亚波长光栅反射镜的垂直腔面发射半导体激光器，自下而上包括以下组成部分，n面电极(1)、衬底(2)、n-DBR反射镜(3)、有源增益区(4)、氧化物限制层(5)和高折射率导电基底(7)，在器件的上表面自外向里依次为p面电极(8)、低折射率亚层(9)，其特征在于，高折射率导电基底(7)位于氧化物限制层(5)上面；器件的一个制作步骤为：在高折射率导电基底(7)上依次生长低折射率亚层(9)、高折射率亚波长光栅层(11)和低折射率光栅层(12)；采用刻蚀技术将高折射率亚波长光栅层(11)和低折射率光栅层(12)的中间部分制作成双层亚波长光栅(13)；同时采用刻蚀技术将低折射率亚层(9)、高折射率亚波长光栅层(11)和低折射率光栅层(12)的周边部分去除，并在高折射率导电基底(7)周边部分上表面制作p面电极(8)；

上述刻蚀技术为一次性刻蚀技术；

所述低折射率亚层(9)材料为SiO₂，膜厚为0.32μm，对2μm波长的折射率为1.47；所述高折射率亚波长光栅层(11)材料为Si，膜厚为0.572μm，对2μm波长的折射率为3.48；所述低折射率光栅层(12)材料为SiO₂，膜厚为0.13μm，对2μm波长的折射率为1.47；所述双层亚波长光栅(3)占空比为0.55，周期为0.86μm；

所述低折射率亚层(9)与双层亚波长光栅(13)构成一种HCG，作为垂直腔面发射半导体激光器谐振腔的上反射镜。