[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：

第一及第二存储器单元晶体管，能够非易失性地保存数据；

第一选择晶体管，一端连接于所述第一存储器单元晶体管的一端；

第二选择晶体管，一端连接于所述第二存储器单元晶体管的一端；

第一位线，连接于所述第一选择晶体管的另一端；

第二位线，连接于所述第二选择晶体管的另一端；

第一字线，连接于所述第一及第二存储器单元晶体管的栅极；及

第一选择栅极线，连接于所述第一及第二选择晶体管的栅极；且

写入动作包含第一程序循环及继所述第一程序循环之后的第二程序循环，

所述第一及第二程序循环包含对所述第一字线施加编程脉冲的编程动作及验证动作，

所述写入动作在所述第一及第二程序循环的所述编程动作中，

在对所述第一字线施加所述编程脉冲的期间，对所述第一位线施加第一电压，对所述第二位线施加比所述第一电压高的第二电压，对所述第一选择栅极线施加比所述第二电压高的第三电压，

在对所述第一字线施加所述编程脉冲之前，对所述第二位线施加所述第二电压，对所述第一选择栅极线施加比所述第三电压高的第四电压，对所述第一选择栅极线施加所述第四电压的期间为所述第二程序循环比所述第一程序循环长。

2.一种半导体存储装置，其特征在于包括：

第一及第二存储器单元晶体管，能够非易失性地保存数据；

第一选择晶体管，一端连接于所述第一存储器单元晶体管的一端；

第二选择晶体管，一端连接于所述第二存储器单元晶体管的一端；

第一位线，连接于所述第一选择晶体管的另一端；

第二位线，连接于所述第二选择晶体管的另一端；

第一字线，连接于所述第一及第二存储器单元晶体管的栅极；及

第一选择栅极线，连接于所述第一及第二选择晶体管的栅极；且

写入动作包含第一程序循环及继所述第一程序循环之后的第二程序循环，

所述第一及第二程序循环包含对所述第一字线施加编程脉冲的编程动作及验证动作，

在所述第一及第二程序循环的所述编程动作中，

在对所述第一字线施加所述编程脉冲的期间，对所述第一位线施加第一电压，对所述第二位线施加比所述第一电压高的第二电压，对所述第一选择栅极线施加比所述第二电压高的第三电压，

在所述第二程序循环的所述编程动作中，

在对所述第一字线施加所述编程脉冲之前，对所述第二位线施加所述第二电压，对所述第一选择栅极线施加比所述第三电压高的第四电压，

在所述第一程序循环的所述编程动作中，在对所述第一字线施加所述编程脉冲之前，不对所述第一选择栅极线施加所述第四电压。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于进而具备执行所述写入动作的控制器，且

所述控制器根据所述编程脉冲的电压值，而从所述第一程序循环移行至所述第二程序循环。

4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于进而具备执行所述写入动作的控制器，且

在所述写入动作中，所述控制器根据所执行的程序循环的次数，而从所述第一程序循环移行至所述第二程序循环。

5.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于进而具备执行所述写入动作的控制器，且

在所述写入动作中，所述控制器根据通过所述验证动作，而从所述第一程序循环移行至所述第二程序循环。

6.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于进而具备：

第三存储器单元晶体管，能够非易失性地保存数据；

第三选择晶体管，一端连接于所述第三存储器单元晶体管的一端，且另一端连接于所述第一位线；及

第二选择栅极线，连接于所述第三选择晶体管的栅极；且

在所述编程动作中，在对所述第一字线施加所述编程脉冲之前，对所述第一选择栅极线施加所述第四电压的情况下，在对所述第一选择栅极线施加所述第四电压的期间对所述第一位线施加所述第二电压，在所述第一选择栅极线的电压从所述第四电压下降至所述第一电压之后，所述第一位线的电压从所述第二电压下降至所述第一电压。