[发明专利]声波设备及其晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种声波设备，其特征在于，包括基底和声波器件，其中：

所述基底上设有腔体，所述腔体包括第一腔室和位于第一腔室下方的第二腔室，其中所述第二腔室的横向宽度小于所述第一腔室的横向宽度；

所述声波器件设置在所述第一腔室中，以便所述第二腔室成为密闭腔室，其中所述声波器件通过胶粘方式设置在所述第一腔室中，所述声波器件与所述第一腔室的侧壁之间填充有聚酯化合物；

在所述第二腔室外部，所述声波器件的管脚焊盘与所述基底上对应的通孔连接，以便引出所述声波器件的管脚。

2.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述通孔为金属材料。

3.根据权利要求2所述的声波设备，其特征在于，

所述金属材料为金、银、铜、铁、铝、镍、钯或锡。

4.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述声波器件的上表面与所述基底的上表面在同一水平面上。

5.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述声波器件的管脚焊盘为铝凸柱或铜凸柱。

6.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述声波器件包括声表面波SAW滤波器、体声波BAW滤波器或薄膜体声波FBAR滤波器，或者包括声表面波SAW双工器、体声波BAW双工器或薄膜体声波FBAR双工器，或者包括采用SAW、BAW或FBAR技术制造的器件。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的声波设备，其特征在于，还包括基板，其中：

所述基底设置在基板上。

8.根据权利要求7所述的声波设备，其特征在于，还包括设置在所述基板上的与所述声波器件异质的电子器件，其中：

电子器件的管脚焊盘与所述声波设备的管脚焊盘连接，其中所述声波设备的管脚焊盘位于所述基底的下表面，并与所述基底上对应的通孔连接。

9.根据权利要求8所述的声波设备，其特征在于，所述声波设备的管脚焊盘为铝凸柱，铜凸柱或锡球。

10.根据权利要求8所述的声波设备，其特征在于，

电子器件的管脚焊盘具体通过金属走线，与所述声波设备的管脚焊盘连接。

11.根据权利要求8所述的声波设备，其特征在于，

所述电子器件包括基于GaAs HBT工艺、GaAs pHEMT工艺或GaN工艺的射频功率放大器，基于GaAs pHEMT工艺的低噪声放大器，基于GaAs pHEMT工艺的开关，基于IPD工艺的滤波器中的至少一个。

12.根据权利要求8所述的声波设备，其特征在于，

所述电子器件包括射频功率放大器的驱动级电路、开关电路、电源跟踪和包络跟踪电路、直流-直流转换电路、模数转换电路、数模转换电路中的至少一个。

13.一种声波设备的晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

在基底上设置腔体，其中所述腔体包括第一腔室和位于第一腔室下方的第二腔室，其中所述第二腔室的横向宽度小于所述第一腔室的横向宽度；

将声波器件设置在所述第一腔室中，以便所述第二腔室成为密闭腔室；

在所述第二腔室外部，将所述声波器件的管脚焊盘与所述基底上对应的通孔连接，以便引出所述声波器件的管脚；

其中，将所述声波器件通过胶粘方式设置在所述第一腔室中；

在所述声波器件与所述第一腔室的侧壁之间填充有聚酯化合物。

14.根据权利要求13所述的封装方法，其特征在于，

将所述声波器件的上表面与所述基底的上表面设置在同一水平面上。