[发明专利]声波设备及其晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种声波设备，其特征在于，包括基底、声波器件、基板和设置在所述基板上的与所述声波器件异质的电子器件，其中：

所述基底上设有腔体，所述声波器件与所述基底结合，以便所述腔体成为密闭腔室，所述腔体的深度等于1μm，所述基底的高度大于所述腔体的深度；

所述声波器件上设有管脚焊盘，以便引出所述声波器件的管脚，其中所述管脚焊盘未被所述基底覆盖；

所述声波器件设置在基板上，所述声波器件的管脚焊盘通过金属键合线与基板上对应的基板焊盘连接；

电子器件的管脚焊盘通过金属走线与所述基板上对应的基板焊盘连接。

2.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述管脚焊盘为金属键合线焊盘。

3.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述管脚焊盘和所述基底位于所述声波器件的同一表面上。

4.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述声波器件通过胶粘方式与所述基底结合。

5.根据权利要求1所述的声波设备，其特征在于，

所述声波器件包括声表面波SAW滤波器、体声波BAW滤波器或薄膜体声波FBAR滤波器，或者包括声表面波SAW双工器、体声波BAW双工器或薄膜体声波FBAR双工器，或者包括采用SAW、BAW或FBAR技术制造的器件。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的声波设备，其特征在于，

所述金属键合线的材料为金、银、铜、铁、铝、镍、钯或锡。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的声波设备，其特征在于，

所述基板焊盘为铝凸柱或铜凸柱。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的声波设备，其特征在于，

所述电子器件包括基于GaAs HBT工艺、GaAs pHEMT工艺或GaN工艺的射频功率放大器，基于GaAs pHEMT工艺的低噪声放大器，基于GaAs pHEMT工艺的开关，基于IPD工艺的滤波器中的至少一个。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的声波设备，其特征在于，

所述电子器件包括射频功率放大器的驱动级电路、开关电路、电源跟踪和包络跟踪电路、直流-直流转换电路、模数转换电路、数模转换电路中的至少一个。

10.一种声波设备的晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

在基底上设置腔体；

将声波器件与所述基底结合，以便所述腔体成为密闭腔室，所述腔体的深度等于1μm，所述基底的高度大于所述腔体的深度；

在所述声波器件上设置管脚焊盘，以便引出所述声波器件的管脚，其中所述管脚焊盘未被所述基底覆盖；

将所述声波器件设置在基板上，其中所述声波器件的管脚焊盘通过金属键合线与基板上对应的基板焊盘连接；

在所述基板上设置与所述声波器件异质的电子器件，其中电子器件的管脚焊盘通过金属走线与所述基板上对应的基板焊盘连接。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，

所述管脚焊盘和所述基底位于所述声波器件的同一表面上。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，

将所述声波器件通过胶粘方式与所述基底结合。