[发明专利]一种日志文件生成方法和装置

说明书

本发明实施例提供了一种日志文件生成方法和装置，其中，所述方法包括：获取日志数据，将日志数据写入一级缓存，当检测到异常事件时，将所述一级缓存中包括异常事件的日志数据写入二级缓存，采用二级缓存中的日志数据生成日志文件，应用本发明实施例，当检测到异常事件时，将包含异常事件的日志数据全部转存于二级缓存，从而保证二级缓存中的日志数据必然存在异常日志数据，缩小了FPGA查找异常日志数据的范围，容易抓取异常日志数据。

技术领域

本发明涉及通信技术领域，特别是涉及一种日志文件生成方法和装置。

背景技术

随着通信技术的发展，对系统的可靠性提出了更高的要求，其中，FPGA(Field－Programmable Gate Array，即现场可编程门阵列)技术在电子系统中应用已经非常广泛，因此，FPGA的测试就变得非常重要。

目前，在基带处理板上，在没有OSP(操作系统平台，Operation System Platform)环境下，PL(Physical Layer，物理层)下行FPGA测试时，全部日志数据都转存于缓存中，而通常缓存容量较小，数据刷新较快，因此，生成日志数据量小，在异常偶发的时候，很难抓取到异常日志数据，并且，日志文件的生成未针对异常日志数据，不利于定位测试中存在的问题。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种日志文件生成方法和装置。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种日志文件生成方法，包括：

获取日志数据；

将所述日志数据写入一级缓存；

当检测到异常事件时，将所述一级缓存中包括异常事件的日志数据写入二级缓存；

采用所述二级缓存中的日志数据生成日志文件。

优选地，所述获取日志数据的步骤包括：

获取预设时长的日志数据；

将所述日志数据写入预设缓存。

优选地，所述一级缓存包括片上存储器OCM一级缓存、双倍速率同步动态随机存储器DDR一级缓存以及日志开关，所述日志数据包括OCM数据和DDR数据，所述将所述日志数据写入一级缓存的步骤包括：

判断所述日志开关是否打开；

若是，则将所述OCM数据写入OCM一级缓存，以及，将所述预设缓存作为DDR一级缓存，并将所述预设缓存中的日志数据作为DDR数据。

优选地，所述二级缓存包括OCM二级缓存、DDR二级缓存、写入标记，所述写入标记包括允许写入标记，所述当检测到异常事件时，将所述一级缓存中包括异常事件的日志数据写入二级缓存的步骤包括：

判断所述日志开关是否打开；

若是，则当所述写入标记为允许写入标记时，获取所述OCM一级缓存中的OCM异常子帧，以及，获取所述DDR一级缓存中的DDR异常子帧；

将所述OCM异常子帧写入OCM二级缓存，以及，将所述DDR异常子帧写入DDR二级缓存。

优选地，所述OCM异常子帧和DDR异常子帧具有子帧号，所述将所述OCM异常子帧写入OCM二级缓存，以及，将所述DDR异常子帧写入DDR二级缓存的步骤包括：

获取所述子帧号对应的二级缓存地址；

将所述OCM异常子帧写入所述二级缓存地址对应的OCM二级缓存中，以及，将所述DDR异常子帧写入所述二级缓存地址对应的DDR二级缓存中。

优选地，所述采用所述二级缓存中的日志数据生成日志文件的步骤包括：