[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：

S1、提供一半导体衬底；

S2、在所述半导体衬底一表面上形成存储结构，其中，所述存储结构包括：位于所述半导体衬底一表面上、且沿竖直方向叠加的多个绝缘层，多个贯穿所述多个绝缘层的沟道孔及位于所述沟道孔内的堆叠结构，多个贯穿所述多个绝缘层的沟槽，以及，覆盖相邻两个所述绝缘层之间相对表面和相应所述堆叠结构侧壁的介质层；

S3、沉积金属层以覆盖所述介质层的内壁表面和所述绝缘层朝向所述沟槽的侧面；

S4、回刻蚀所述金属层，以形成位于所述介质层的内壁中的金属栅；

S5、重复步骤S3和S4预设次数。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述金属层的材质为钨或铝。

3.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述介质层包括：

靠近所述绝缘层一侧的高K介质阻挡层；

以及，位于所述高K介质阻挡层的内壁一侧的种子层，其中，所述种子层的材质为氮化钛或氮化钽。

4.根据权利要求3所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述种子层的厚度范围为1nm～10nm，包括端点值。

5.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，述存储结构的形成包括：

在所述半导体衬底一表面形成沿竖直方向交替堆叠的所述多个绝缘层和多个牺牲层，其中，所述多个绝缘层为第一绝缘层至第N绝缘层，所述多个牺牲层为第一牺牲层至第N-1牺牲层，N为小于2的整数；

贯穿所述多个绝缘层和多个牺牲层形成所述多个沟道孔；

在所述沟道孔内形成所述堆叠结构；

贯穿所述多个绝缘层和多个牺牲层形成所述多个沟槽；

去除所述多个牺牲层；

在相邻两个所述绝缘层之间形成所述介质层，其中，所述介质层覆盖相邻两个所述绝缘层之间相对表面和相应所述堆叠结构侧壁。

6.根据权利要求5所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度及绝缘层的厚度范围均为10nm～80nm，包括端点值。

7.根据权利要求5所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述多个绝缘层和多个牺牲层的厚度总和不小于1微米。

8.根据权利要求5所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述绝缘层的材质为二氧化硅，所述牺牲层的材质为氮化硅。

9.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底为P型半导体衬底。

10.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器采用权利要求1～9任意一项所述的三维存储器的制作方法制作而成。