[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

说明书

本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，用以使得有源层不与薄膜晶体管中的源极金属层和漏极金属层直接接触，从而降低有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触电阻，从而提高垂直型非晶硅薄膜晶体管中有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触效果，进而可以提高薄膜晶体管的工作稳定性。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：源极金属层，位于所述源极金属层之上的第一欧姆接触层，位于所述第一欧姆接触层之上的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层之上且与所述第一欧姆接触层接触的有源层，位于所述有源层之上的第二欧姆接触层；位于所述第二欧姆接触层之上的漏极金属层。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

目前高分辨率显示产品成为市场主流趋势，实现液晶显示面板的高分辨率显示，对其像素开口率的要求越来越高，因此缩小薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的尺寸变得尤为关键。现有技术中，存在一种垂直型TFT结构，可以大大减小TFT的尺寸，如图1所示，该垂直型TFT结构包括：玻璃基板12、缓冲层16、像素层17、源极金属层1、第一绝缘层3、氧化物(IGZO)层18、漏极金属层6、第二绝缘层7以及栅极金属层8，其中氧化物(IGZO)18属于有源层。虽然图1所示的垂直型TFT结构可以大大减小TFT的尺寸，但是该垂直型TFT结构目前仅适用于氧化物TFT，而非晶硅型TFT中非晶硅作为有源层，由于有源层与源极金属层及漏极金属层直接接触，因此非晶硅型TFT的欧姆接触较差，导致非晶硅型TFT的稳定性较差。

发明内容

本申请实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板、显示装置及制备方法，用以使得有源层不与薄膜晶体管中的源极金属层和漏极金属层直接接触，从而降低有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触电阻，从而提高垂直型非晶硅薄膜晶体管中有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触效果，进而可以提高薄膜晶体管的工作稳定性。

本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：源极金属层，位于所述源极金属层之上的第一欧姆接触层，位于所述第一欧姆接触层之上的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层之上且与所述第一欧姆接触层接触的有源层，位于所述有源层之上的第二欧姆接触层；位于所述第二欧姆接触层之上的漏极金属层。

本申请实施例提供的薄膜晶体管，通过在所述第一欧姆接触层之上设置所述第一绝缘层，之后在所述第一绝缘层之上设置有源层，并且所述有源层与所述第一欧姆接触层接触，再在所述有源层之上设置第二欧姆接触层，所述有源层与所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层接触，即有源层分别通过第一欧姆接触层、第二欧姆接触层与薄膜晶体管中的源极金属层和漏极金属层接触，从而降低有源层与薄膜晶体管中的源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触电阻，提高有源层与所述源极金属层和所述漏极金属层之间的欧姆接触效果，进而可以提高薄膜晶体管的工作稳定性。

较佳地，所述有源层完全覆盖所述第一绝缘层。

本申请实施例提供的薄膜晶体管，由于有源层完全覆盖第一绝缘层，从而使得第二欧姆接触层与所述有源层完全接触，从而可以增加所述有源层与所述第二欧姆接触层之间的接触面积，进一步降低所述有源层与所述漏极金属层之间的欧姆接触电阻，从而可以提高有源层与接触效果，进而可以提薄膜晶体管的工作稳定性。

较佳地，所述有源层在所述第一绝缘层两侧分别与所述第一欧姆接触层接触。

较佳地，所述有源层包括非晶硅。

较佳地，所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层包括电子型掺杂非晶硅。

较佳地，所述薄膜晶体管还包括：

位于所述漏极金属层之上的第二绝缘层；

位于所述第二绝缘层之上的栅极金属层。