[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

说明书

本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，用以使得有源层与薄膜晶体管中的源极金属层和漏极金属层通过欧姆接触层连接，从而降低有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触电阻，提高薄膜晶体管中有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触效果，进而可以提高薄膜晶体管的工作稳定性。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，包括：源极金属层，在源极金属层之上的第一绝缘层，在第一绝缘层之上的漏极金属层；有源层和欧姆接触层，有源层通过欧姆接触层与源极金属层和漏极金属层相连；欧姆接触层包括第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，第一欧姆接触层包括位于第一绝缘层两侧第一部分区域和第二部分区域。

技术领域

本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

目前高分辨率显示产品成为市场主流趋势，实现液晶显示面板的高分辨率显示，对其像素开口率的要求越来越高，因此缩小薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的尺寸变得尤为关键。现有技术中，存在一种垂直型TFT结构，可以大大减小TFT的尺寸，如图1所示，该垂直型TFT结构包括：玻璃基板1、缓冲层2、像素层3、源极金属层4、第一绝缘层5、漏极金属层6、氧化物(IGZO)层7、第二绝缘层8以及栅极金属层9，其中氧化物(IGZO)7属于有源层。虽然图1所示的垂直型TFT结构可以大大减小TFT的尺寸，但是该垂直型TFT结构目前仅适用于氧化物TFT，而非晶硅型TFT中非晶硅作为有源层，由于有源层与源极金属层及漏极金属层直接接触，因此非晶硅型TFT的欧姆接触较差，导致非晶硅型TFT的稳定性较差。

发明内容

本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，用以使得有源层与薄膜晶体管中的源极金属层和漏极金属层通过欧姆接触层连接，从而降低有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触电阻，从而提高薄膜晶体管中有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触效果，进而可以提高薄膜晶体管的工作稳定性。

本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，包括：源极金属层，在所述源极金属层之上的第一绝缘层，在所述第一绝缘层之上的漏极金属层；所述薄膜晶体管还包括：有源层和欧姆接触层，所述有源层通过所述欧姆接触层与所述源极金属层和所述漏极金属层相连；其中，所述欧姆接触层包括第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，所述第一欧姆接触层包括位于所述第一绝缘层两侧第一部分区域和第二部分区域。

本申请实施例提供的薄膜晶体管，通过设置欧姆接触层，使得源极层通过欧姆接触层与所述源极金属层和所述漏极金属层连接，即所述有源层不与所述源极金属层和所述漏极金属层直接接触，从而降低有源层与薄膜晶体管中的源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触电阻，提高有源层与所述源极金属层和所述漏极金属层之间的欧姆接触效果，进而可以提高垂直型非晶硅薄膜晶体管的工作稳定性。

较佳地，所述第二欧姆接触层位于所述第一绝缘层与所述漏极金属层之间。

较佳地，所述有源层包括分别位于所述第一绝缘层两侧的第一部分有源层和第二部分有源层，第一部分有源层位于第一欧姆接触层的第一部分区域与第二欧姆接触层之间，第二部分有源层位于第一欧姆接触层的第二部分区域与第二欧姆接触层之间。

较佳地，所述有源层包括非晶硅，和/或所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层包括电子型掺杂非晶硅。

较佳地，所述薄膜晶体管还包括：

位于所述有源层之上的第二绝缘层；

位于所述第二绝缘层之上的栅极金属层。

本申请实施例提供的一种阵列基板，包括本申请实施例提供的薄膜晶体管。

本申请实施例提供的一种显示装置，包括本申请实施例提供的阵列基板。