[发明专利]包括晶体管单元和补偿结构的宽带隙半导体器件有效

申请号：	201710131889.0	申请日：	2017-03-07
公开（公告）号：	CN107180872B	公开（公告）日：	2020-11-03
发明（设计）人：	R·西明耶科;D·彼得斯	申请（专利权）人：	英飞凌科技股份有限公司
主分类号：	H01L29/78	分类号：	H01L29/78;H01L29/16
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	郑立柱
地址：	德国诺伊***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	包括晶体管单元补偿结构宽带半导体器件
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【权利要求书】：

1.一种半导体器件，包括：

晶体管单元(TC)，其形成在得自宽带隙材料的半导体部分(100)中并且电连接到栅极端子(G)、源极端子(S)和漏极端子(D)；以及

补偿结构(450)，其与所述源极端子(S)和所述漏极端子(D)中的至少一个以及所述栅极端子(G)电连接，其中所述补偿结构(450)的有效电容具有至少部分地对所述晶体管单元(TC)的栅漏电容与栅源电容之间的比率的温度系数进行补偿的温度系数，

其中所述补偿结构(450)中与所述栅漏电容并联的部分具有负的温度系数，和/或所述补偿结构(450)中与所述栅源电容并联的部分具有正的温度系数。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述补偿结构(450)包括具有在所述漏极端子(D)与所述栅极端子(G)之间有效的第一电容的第一电容结构(451)，并且其中所述第一电容具有负的温度系数。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中

所述补偿结构(450)包括具有在所述栅极端子(G)与所述源极端子(S)之间有效的电容的第二电容结构(452)，并且其中所述电容具有正的温度系数。

4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中

所述补偿结构(450)包括(i)在所述栅极端子(G)与所述漏极端子(D)之间的第一电容结构(451)和第二电容结构(452)的串联连接以及(ii)在所述源极端子(S)与连接节点(455)之间具有负的温度系数的热敏电阻器结构(456)，所述连接节点(455)在所述第一电容结构(451)与所述第二电容结构(452)之间。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中

所述热敏电阻器结构(456)包括在所述半导体部分(100)中的掺杂区域(180)。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

所述掺杂区域(180)包含浓度至少为5E17cm^-3的铝。

7.根据权利要求5或6所述的半导体器件，还包括：

接触结构(316)，其延伸通过层间电介质(210)并且将源电极(310)与所述掺杂区域(180)电连接，其中所述层间电介质分离所述源电极(310)和所述半导体部分(100)。

8.根据权利要求5或6所述的半导体器件，其中

所述第一电容结构(451)的第一电极是栅极金属化部(330)的通过层间电介质(210)的一部分与所述半导体部分(100)分离的一部分。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中

栅极焊盘(331)形成所述第一电容结构(451)的第一电极。

10.根据权利要求5或6所述的半导体器件，其中

所述掺杂区域(180)形成所述第一电容结构(451)的第二电极、所述连接节点(455)和所述第二电容结构(452)的第一电极。