[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成再布线层；

在所述器件晶圆上形成用于与封装基板连接的凸块，所述凸块包括密集凸块和孤立凸块，在所述孤立凸块周围形成包围所述孤立凸块的保护墙；

在所述孤立凸块与保护墙之间填充保护层，保护墙的底座虚设再布线层连接，使保护墙更牢固；其中，虚设再布线层不与器件晶圆中的金属互连层电连接。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述保护墙的形状基于所述密集凸块和孤立凸块的位置分布确定。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述保护墙的形状为圆形、矩形、正方形、菱形或六边形。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述再布线层包括用于与所述凸块连接的第一再布线层和用于与所述保护墙连接的第二再布线层。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二再布线层为不与所述器件晶圆中的金属互连层电性连接的虚设再布线层。

6.如权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二再布线层的表面积大于所述保护墙的底部面积。

7.如权利要求1-6中的任意一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括：

提供封装基板，在所述封装基板上形成有与所述凸块对应的焊点；

通过所述凸块和焊点完成所述器件晶圆和封装基板的连接。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述封装基板上形成与所述保护墙对应的接触点，

在连接所述凸块和焊点的同时，连接所述保护墙和接触点。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括器件晶圆，在所述器件晶圆上形成有用于与封装基板连接的凸块，所述凸块包括密集凸块和孤立凸块，在所述孤立凸块周围形成包围所述孤立凸块的保护墙；

在所述器件晶圆上还形成有再布线层，在所述孤立凸块与保护墙之间填充保护层，保护墙的底座虚设再布线层连接，使保护墙更牢固；其中，虚设再布线层不与器件晶圆中的金属互连层电连接。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述保护墙的形状与所述密集凸块和孤立凸块的位置分布对应。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述保护墙的形状为圆形、矩形、正方形、菱形或六边形。

12.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述再布线层包括用于与所述凸块连接的第一再布线层和用于与所述保护墙连接的第二再布线层。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述第二再布线层为不与所述器件晶圆中的金属互连层电性连接的虚设再布线层。

14.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述第二再布线层的表面积大于所述保护墙的底部面积。

15.如权利要求9-14中的任意一项所述的半导体器件，其特征在于，还包括：封装基板，在所述封装基板上形成有与所述凸块对应的焊点，所述凸块和焊点连接在一起以实现所述器件晶圆和所述封装基板的连接。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，在所述封装基板上还形成有与所述保护墙对应的接触点，所述保护墙和接触点连接在一起以实现所述器件晶圆和所述封装基板的连接。

17.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求9-16中的任意一项所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件。