[发明专利]一种沟槽版图结构、半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710131738.5 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN106876391B | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 徐强;夏志良;严萍;李广济;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/77;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 版图 结构 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种沟槽版图结构，其特征在于，包括：
沟槽开口，所述沟槽开口包括字线台阶区沟槽开口和阵列区沟槽开口；
位于相邻两条所述沟槽开口之间的沟槽孔开口；
其中，所述字线台阶区沟槽开口与所述阵列区沟槽开口相接，沿垂直于所述沟槽开口长度延伸方向上，所述字线台阶区沟槽开口的宽度大于所述阵列区沟槽开口的宽度。
2.根据权利要求1所述的沟槽版图结构，其特征在于，所述字线台阶区沟槽开口的宽度均匀。
3.根据权利要求1所述的沟槽版图结构，其特征在于，所述字线台阶区沟槽开口的宽度沿远离所述阵列区沟槽开口的方向逐渐增大。
4.根据权利要求2或3所述的沟槽版图结构，其特征在于，所述字线台阶区沟槽开口远离所述阵列区沟槽开口的侧边为圆心朝向所述阵列区沟槽开口的弧形。
5.根据权利要求4所述的沟槽版图结构，其特征在于，在沿所述沟槽长度延伸方向上，所述字线台阶区沟槽开口远离所述阵列区沟槽开口的侧边的最外缘位于所述沟槽孔开口远离所述阵列区沟槽开口的最外缘背离所述阵列区沟槽开口的一侧。
6.根据权利要求5所述的沟槽版图结构，其特征在于，在沿所述沟槽长度延伸方向上，所述字线台阶区沟槽开口远离所述阵列区沟槽开口的侧边的最外缘与所述沟槽孔开口远离所述阵列区沟槽开口的最外缘之间的距离为0.5μm-2μm，包括端点值。
7.根据权利要求1所述的沟槽版图结构，其特征在于，所述字线台阶区沟槽开口的宽度比所述阵列区沟槽开口的宽度大10nm-50nm，包括端点值。
8.一种半导体器件，其特征在于，采用权利要求1-7任意一项所述的沟槽版图结构制作形成，所述半导体器件包括：
衬底；
位于所述衬底内的沟槽，所述沟槽包括字线台阶区沟槽和阵列区沟槽；
以及位于所述衬底内，且位于相邻沟槽之间的沟槽孔；
其中，所述字线台阶区沟槽与所述阵列区沟槽相接，在所述衬底表面且沿垂直于所述沟槽长度延伸方向上，所述字线台阶区沟槽开口的宽度大于所述阵列区沟槽开口的宽度。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为三维结构存储器。
10.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括字线台阶区和阵列区；
在所述衬底上形成沟槽刻蚀掩膜版，所述沟槽刻蚀掩膜版上的图形为权利要求1-7任意一项所述的沟槽版图结构；
对所述衬底进行刻蚀，得到字线台阶区沟槽和阵列区沟槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
