[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成外延层，每个所述外延层包括第一区域和第二区域，所述第一区域的外延层具有第一晶面，所述第二区域外延层具有第二晶面，所述第一晶面与第二晶面的晶面指数不相同；

在所述外延层的第一区域和第二区域上形成覆盖层结构，所述覆盖层结构包括单层覆盖层或多层层叠设置的覆盖层，形成所述覆盖层的步骤包括：

在所述外延层第一区域和第二区域上形成初始覆盖层，所述第一区域上的初始覆盖层与第二区域上的初始覆盖层的厚度不相同；对所述初始覆盖层进行刻蚀，减小所述第一区域上的初始覆盖层与第二区域上的初始覆盖层的厚度差；

形成与所述覆盖层结构电连接的电极。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述外延层的材料为硅锗、碳硅、锗或硅。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的材料为单晶硅、单晶锗、硅磷或硅硼。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述初始覆盖层进行刻蚀的工艺包括干法刻蚀或湿法刻蚀。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过干法刻蚀工艺对所述初始覆盖层进行刻蚀的刻蚀气体包括：HCl、Cl₂、F₂、HF中的一种或多种组合。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过干法刻蚀工艺对所述初始覆盖层进行刻蚀的刻蚀气体还包括：锗烷和二氯甲硅烷中的一种或两种组合。

7.如权利要求5或6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述初始覆盖层进行刻蚀的工艺参数包括：刻蚀温度为500℃～1000℃；气体压强为0T～600T。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的厚度大于0nm且小于等于25nm。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始覆盖层之前还包括：通过外延生长工艺在所述外延层表面形成种子层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述种子层的材料为单晶硅或单晶锗。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述种子层的厚度为0nm～5nm。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始覆盖层的工艺包括：外延生长工艺。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述覆盖层结构包括多层所述覆盖层，所述覆盖层在沿垂直于所述衬底表面的方向上层叠设置；形成所述覆盖层结构的步骤包括：重复多次形成所述覆盖层的步骤。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述外延层顶部表面高于所述衬底表面。

15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述外延层的工艺包括：外延生长工艺。

16.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述覆盖层结构表面形成金属层，所述金属层与所述覆盖层结构反应形成金属化物层。