[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括用于形成N型晶体管的第一区域；

在所述第一区域的基底上形成第一功函数层，所述第一功函数层的材料是N型功函数材料；

在所述第一功函数层上形成牺牲层；

氧化所述第一功函数层，在所述第一功函数层与所述牺牲层之间形成扩散阻挡层；

去除所述牺牲层；

在所述扩散阻挡层上形成第一金属栅极，所述第一金属栅极与所述扩散阻挡层和第一功函数层用于构成所述N型晶体管的栅极结构。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，氧化所述第一功函数层的步骤包括：通过退火处理氧化所述第一功函数层。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，通过退火处理氧化所述第一功函数层的步骤包括：退火过程中通入含氧气体的方式进行所述退火处理。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述含氧气体包括氧气或臭氧。

5.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，在退火过程中通入含氧气体的方式进行所述退火处理的步骤中，所述含氧气体流量在0.01L/min～5L/min的范围内。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，进行退火处理的步骤中，所述退火时间在2S～30S的范围内，所述退火温度在800℃～1050℃的范围内。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括非晶硅。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度在15A～100A的范围内。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的厚度在3A～20A的范围内。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一功函数层的材料包括TiAl或TiCAl，所述扩散阻挡层的材料是TiAlO。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述金属栅极的材料是钨。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，

提供基底的步骤中，所述基底还包括用于形成P型晶体管的第二区域；

形成第一功函数层的步骤中，所述第一功函数层还覆盖所述第二区域；

在所述第一功函数层上形成牺牲层的步骤中，所述牺牲层还覆盖第二区域的第一功函数层；

在氧化所述第一功函数层的步骤中，所述扩散阻挡层还形成于第二区域内的第一功函数层与牺牲层之间；

所述形成方法还包括，在形成金属栅极之前，去除第二区域的牺牲层、扩散阻挡层和第一功函数层；在第二区域形成第二功函数层；

形成所述第一金属栅极的步骤还包括：在第二区域的第二功函数层上形成第二金属栅极。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底上的鳍部；

在形成第一功函数层的步骤中，所述第一功函数层同时覆盖所述鳍部；

在形成所述牺牲层的步骤中，所述牺牲层同时覆盖所述鳍部；

形成第一金属栅极的步骤包括：形成横跨所述鳍部的第一金属栅极，所述第一金属栅极覆盖鳍部的部分侧壁和部分顶部表面。

14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤包括：所述基底上形成有伪栅结构，以及位于伪栅结构之间的层间介质层；

在所述第一区域的基底上形成第一功函数层之前，所述形成方法还包括：

去除位于第一区域上的伪栅结构，在所述层间介质层中形成开口；

形成第一功函数层的步骤包括：在所述开口的侧壁和底部形成第一功函数层。