[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710130527.X | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN106898545B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 申忠桓;姜尚范;金大容;金桢益;金哲性;柳制亨;李相遇;崔孝锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/768;H01L23/485;H01L27/092;H01L29/08;H01L29/16;H01L29/161;H01L29/165;H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;董婷 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
第一层间绝缘膜，包括孔，位于基底上；
栅极，形成在孔中；
抬升源极/漏极区域，形成在栅极的两侧上；
开口，位于第一层间绝缘膜中并暴露抬升源极/漏极区域的表面；
金属硅化物，形成在开口中；
其中，金属硅化物包括远离抬升源极/漏极区域的表面的硅化物下轮廓，硅化物下轮廓具有弯曲的剖面，
其中，金属硅化物包括具有底部和侧壁的上凹进，
其中，上凹进的底部与硅化物下轮廓的底部分开的距离大于上凹进的侧壁与硅化物下轮廓的侧壁分开的距离，
其中，上凹进的侧壁与开口的侧壁共面，其中，半导体装置的集成密度是20nm或更小。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，抬升源极/漏极区域包括突出部分，突出部分相对于基底的表面进一步突出并覆盖金属硅化物的两侧，
其中，随着距基底的表面的距离增加，突出部分变得更窄。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，突出部分覆盖金属硅化物的竖直长度的一半以上。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，金属硅化物不形成在抬升源极/漏极区域的表面的至少一部分中。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置是p沟道金属氧化物半导体晶体管，其中，抬升源极/漏极区域包含SiGe。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
阻挡层，形成在金属硅化物和金属接触之间；
金属硅化物围绕阻挡层的一部分。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置是n沟道金属氧化物半导体晶体管，其中，抬升源极/漏极区域包含Si。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，栅极包括第一金属层和第二金属层，第一金属层沿孔的侧壁和底表面共形地形成，第二金属层形成在孔中的第一金属层上以填充孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
