[发明专利]一种通过掺杂樟脑磺酸根离子合成手性导电聚合物的方法及其应用

权利要求书

1.一种电化学识别色氨酸对映异构体的方法，其特征在于：步骤如下：

a、电聚合掺杂樟脑磺酸根离子的聚吡咯膜：将吡咯单体分子溶解在(+)-10-樟脑磺酸溶液中混合均匀配制成混合液，实验采用三电极体系，直径为3mm的玻碳电极为工作电极，铂片电极为对电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，将其浸入混合液中，施加相应电流进行恒电流聚合，得到掺杂樟脑磺酸根离子的聚吡咯膜修饰电极；

b、过氧化聚吡咯膜：实验采用三电极体系，掺杂樟脑磺酸根离子的聚吡咯膜修饰电极为工作电极，铂片电极为对电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，将其浸入磷酸盐缓冲溶液中，进行循环伏安扫描，得到过氧化的掺杂樟脑磺酸根离子的聚吡咯膜修饰电极；

c、电化学法识别色氨酸对映体：实验采用三电极体系，过氧化的掺杂樟脑磺酸根离子的聚吡咯膜修饰电极为工作电极，铂片电极为对电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，将其分别浸入配制的L-/D-色氨酸溶液中，静置后进行差分脉冲扫描。

2.根据权利要求1所述一种电化学识别色氨酸对映异构体的方法，其特征是：所述步骤a中混合液中(+)-10-樟脑磺酸的浓度为0.01～0.5M，吡咯单体的浓度为0.05～2.0M，进行恒电流聚合，施加电流为0.3mA，电聚合时间为10～600s。

3.根据权利要求1所述一种电化学识别色氨酸对映异构体的方法，其特征是：所述步骤b中掺杂樟脑磺酸根离子的聚吡咯膜修饰电极浸入磷酸盐缓冲溶液的浓度为0.1M，pH为7.0～8.0，进行循环伏安扫描。

4.根据权利要求1所述一种电化学识别色氨酸对映异构体的方法，其特征是：所述步骤c中过氧化的掺杂樟脑磺酸根离子的聚吡咯膜修饰电极分别浸入L-/D-色氨酸溶液的浓度为0.1～10mM，静置时间为2～180s。