[发明专利]一种基于气囊的植入式无线颅内压监测系统有效

专利信息
申请号: 201710128667.3 申请日: 2017-03-06
公开(公告)号: CN106901713B 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 姜汉钧;王志华;吴泽亮;张春;李福乐 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: A61B5/03 分类号: A61B5/03
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 段俊涛
地址: 100084 北京市海淀区1*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 气囊 植入 无线 颅内压 监测 系统
【说明书】:

本发明涉及一种基于气囊的植入式无线颅内压监测系统,由三部分构成:颅内压植入监测装置、体外颅内压数据记录仪、数据管理终端;颅内压植入监测装置包括:外壳、气体导管、气囊、气体单向阀、气体绝压传感器、温度传感器、控制电路、无线收发电路、电池、天线。体外颅内压数据记录仪包括:天线、无线收发电路、气体绝压传感器、控制和数据处理电路、显示屏、电池。体外颅内压数据记录仪接收颅内压植入监测装置测得的颅内压数据和颅内温度数据。数据经处理后在显示屏实时显示;数据管理终端对颅内压数据进行长期的存储、管理;本发明克服了非植入式颅内压测量方式易导致感染等缺点;基于气囊的测压方式具有颅骨上开孔小、电路易与液体隔离的优点。

技术领域

本发明属于医疗电子技术领域,涉及一种颅内压测量系统装置,特别涉及一种基于气囊的植入式无线颅内压监测系统。

背景技术

颅内压(ICP,全称intracranial pressure)增高是颅内疾病或颅内继发性疾病的一种反映,如果能够持续监测到颅内压数据,并及时发现颅内压增高的现象,有利于早期发现和及时处理颅内压增高和颅内疾病,并提高疗效。测量颅内压时,探头可以放置在颅内不同的位置:硬脑膜外、硬脑膜下、蛛网膜下腔、脑实质、脑室等。探头放置在不同位置时,测量效果有区别。颅内压的监测方法分植入式和非植入式两种。目前临床上常用的颅内压检测方法大部分属于非植入式、有创的监测方法,虽然其精度较高,但具有易引发出血、故障、栓塞和感染等并发症的缺点。即使是目前使用的植入式的颅内压监测方法,大部分的植入式颅内压监测方法都是基于液压传感器式的监测原理,要求直接将传感器放置到颅内待测部位,如申请号为201420812564.0的中国发明专利《植入式颅内压无线监护装置》、申请号为201510106070.X的中国发明专利《植入式无线颅内压自动监测系统及方法》等。基于液压传感器来监测颅内压有以下缺点:该方法要求液压传感器直接与颅内液体接触,增大了植入装置中的电路元器件与液体隔离的难度,容易导致植入装置中电子元器件接触到液体而发生损坏,电子元器件直接接触到颅内液体也会危害到被监测病人的健康;该方法要求直接将液压传感器放置到颅内待测部位,液压传感器本身的体积往往不能做得很小,故进行植入手术时,颅骨上的开孔会比较大,增大了病人被感染的风险。

综上所述,有必要进一步改善现有的技术。

发明内容

为了克服上述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种基于气囊的植入式无线颅内压监测系统,可大大减小病人被感染的风险。

为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是:

一种基于气囊的植入式无线颅内压监测系统,包括颅内压植入监测装置100,所述颅内压植入监测装置100包括:

外壳1,带有压强传导孔11和充气孔12;

外壳1内的结构与电路,包括电池21、气体单向阀22和电路模块23,其中,电路模块23包括:气体绝压传感器、温度传感器、控制电路和无线收发电路、天线;电池21接电路模块23实现供电;气体单向阀22的入口221连接充气孔12;

气体导管,包括压强传导管31和气囊植入辅助管32,气囊植入辅助管32的一端是气囊植入辅助管开口321,另一端封闭,气囊植入辅助管32中用于插入气囊植入辅助棒322推送气体导管和气囊4至指定检测部位;压强传导管31的一端是压强传导管上开口311,另一端封闭,压强传导管31的管壁上开有压强传导管下开口312,压强传导管31用于通过压强传导孔11使压强传导管上开口311伸入到外壳1内部的腔体内,压强传导管31外壁与压强传导孔11接触的部分不留缝隙;压强传导管31和气囊植入辅助管32管壁贴在一起连接但互不连通。

气囊4,两端开口,内壁紧贴在气体导管下端的外壁上,不留缝隙,将压强传导管下开口312包在封闭的腔体内。

所述外壳1、气囊4、压强传导管31和气囊植入辅助管32均采用具有生物兼容性的材料制作而成,呈光滑、无棱角的形状。

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