[发明专利]应力调控方法

权利要求书

1.一种应力调控方法，其特征在于，包括：

S10，提供结构式为ABO_xH_y的第一材料，其中，A为碱土金属元素和稀土金属元素中的一种或多种，B为过渡族金属元素的一种或多种，x的取值范围为1-3，y的取值范围为0-3；

S20，提供第二材料，使所述第一材料与所述第二材料接触并在所述第一材料和第二材料之间形成接触界面，所述第二材料包括金属单质、金属氧化物、合金中的一种或几种；

S30，将粒子插入或抽出所述第一材料，改变所述第一材料的晶格常数，实现对所述第二材料的应力调控，所述粒子包括离子、原子中的一种或多种；

所述S30包括：

S301，提供离子液体，所述离子液体中包含氢离子和氧离子，将所述第一材料与所述第二材料设置于所述离子液体中；

S303，给所述离子液体施加电场，从而使得所述离子液体中的氢离子或氧离子插入所述第一材料，或者使得氢离子或氧离子从所述第一材料中抽出。

2.一种应力调控方法，其特征在于，包括：

S10，提供结构式为ABO_xH_y的第一材料，其中，A为碱土金属元素和稀土金属元素中的一种或多种，B为过渡族金属元素的一种或多种，x的取值范围为1-3，y的取值范围为0-3；

S20，提供第二材料，使所述第一材料与所述第二材料接触并在所述第一材料和第二材料之间形成接触界面，所述第二材料包括纳米材料，所述纳米材料为零维的团簇、零维的人造原子、零维的纳米微粒、一维的纳米线、一维的纳米管、一维的纳米棒、一维的纳米纤维、二维的纳米带、二维的超薄膜、二维的多层膜；

S30，将粒子插入或抽出所述第一材料，改变所述第一材料的晶格常数，实现对所述第二材料的应力调控，所述粒子包括离子、原子中的一种或多种；

所述S30包括：

S301，提供离子液体，所述离子液体中包含氢离子和氧离子，将所述第一材料与所述第二材料设置于所述离子液体中；

S303，给所述离子液体施加电场，从而使得所述离子液体中的氢离子或氧离子插入所述第一材料，或者使得氢离子或氧离子从所述第一材料中抽出。

3.一种应力调控方法，其特征在于，包括：

S10，提供结构式为ABO_xH_y的第一材料，其中，A为碱土金属元素和稀土金属元素中的一种或多种，B为过渡族金属元素的一种或多种，x的取值范围为1-3，y的取值范围为0-3；

S20，提供第二材料，使所述第一材料与所述第二材料接触并在所述第一材料和第二材料之间形成接触界面，所述第二材料包括有机功能材料，所述有机功能材料为具有力学功能的有机材料、具有化学功能的有机材料、具有电学功能的有机材料；

S30，将粒子插入或抽出所述第一材料，改变所述第一材料的晶格常数，实现对所述第二材料的应力调控，所述粒子包括离子、原子中的一种或多种；

所述S30包括：

S301，提供离子液体，所述离子液体中包含氢离子和氧离子，将所述第一材料与所述第二材料设置于所述离子液体中；

S303，给所述离子液体施加电场，从而使得所述离子液体中的氢离子或氧离子插入所述第一材料，或者使得氢离子或氧离子从所述第一材料中抽出。

4.如权利要求1-3中任一项所述的应力调控方法，其特征在于，所述离子包括氢离子、锂离子、钠离子、钾离子、铷离子、铍离子、镁离子、钙离子、锶离子、钡离子、氮离子、磷离子、氧离子、硫离子、硒离子和氟离子中的一种或多种；

所述原子包括氢原子、锂原子、钠原子、钾原子、铷原子、铍原子、镁原子、钙原子、锶原子、钡原子、氮原子、磷原子、氧原子、硫原子、硒原子和氟原子中的一种或多种。

5.如权利要求1-3中任一项所述的应力调控方法，其特征在于，所述S303中，将所述离子液体处于高电势，所述第一材料处于低电势，使离子液体中的氢离子插入所述第一材料或氧离子从所述第一材料中抽出，使得所述第一材料的面外晶格常数增大，从而对所述第二材料施加拉伸应力，实现对所述第二材料的应力调控。