[发明专利]离子注入装置及测量装置

权利要求书

1.一种离子注入装置，其具备用于测量照射于晶片的离子束的角度分布的测量装置，其特征在于，

所述测量装置具备：

狭缝，供所述离子束入射，并且狭缝宽度方向是与朝向所述晶片的离子束的射束行进方向正交的方向；及

多个电极体，设置在所述射束行进方向上远离所述狭缝的位置，并且各自具有射束测量面，所述射束测量面为相对于通过所述狭缝后的离子束暴露的区域，

所述多个电极体配置成各电极体的射束测量面在所述狭缝宽度方向上依次排列，并且在所述狭缝宽度方向上相邻的射束测量面在所述射束行进方向上错开,

所述多个电极体配置成，从通过所述狭缝的离子束观察时，各电极体的射束测量面无间隙地在所述狭缝宽度方向上排列。

2.一种离子注入装置，其具备用于测量照射于晶片的离子束的角度分布的测量装置，其特征在于，

所述测量装置具备：

狭缝，供所述离子束入射，并且狭缝宽度方向是与朝向所述晶片的离子束的射束行进方向正交的方向；及

多个电极体，设置在所述射束行进方向上远离所述狭缝的位置，并且各自具有射束测量面，所述射束测量面为相对于通过所述狭缝后的离子束暴露的区域，

所述多个电极体配置成各电极体的射束测量面在所述狭缝宽度方向上依次排列，并且在所述狭缝宽度方向上相邻的射束测量面在所述射束行进方向上错开,

所述多个电极体在由所述射束行进方向及所述狭缝宽度方向规定的剖面视图中配置成各电极体的射束测量面以V字形或倒V字形排列。

3.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述多个电极体配置成所述射束测量面在所述狭缝宽度方向上相邻的至少一组电极体在所述射束行进方向上重叠。

4.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述多个电极体中，与具有位于所述射束行进方向的上游侧的射束测量面的电极体相比，具有位于所述射束行进方向的下游侧的射束测量面的电极体在所述狭缝宽度方向上长。

5.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述多个电极体中的至少一个电极体的所述射束测量面的所述狭缝宽度方向的长度与所述狭缝的狭缝宽度相同。

6.根据权利要求5所述的离子注入装置，其特征在于，

所述射束测量面的所述狭缝宽度方向的长度与所述狭缝的狭缝宽度相同的至少一个电极体具有如下射束测量面，该射束测量面相比其它至少一个电极体，位于所述射束行进方向的上游侧。

7.根据权利要求6所述的离子注入装置，其特征在于，

所述其它至少一个电极体的所述射束测量面的所述狭缝宽度方向的长度比所述狭缝的狭缝宽度长。

8.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述多个电极体中，在所述狭缝宽度方向上相邻的射束测量面在所述射束行进方向的位置偏移量比所述狭缝的狭缝宽度小。

9.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述多个电极体中的至少一个电极体具有所述狭缝宽度方向的长度朝向所述射束行进方向变小的形状。

10.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述多个电极体配置成所述射束测量面在所述狭缝宽度方向上相邻的至少一组电极体在所述射束行进方向上不重叠。

11.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述多个电极体各自配置成关于通过所述狭缝后的离子束，测量与包括按每个电极体由不同的值规定的角度中值的规定的角度范围相应的射束分量，并且配置成被所述射束测量面在所述狭缝宽度方向上相邻的另一电极体规定的角度中值成为所述规定的角度范围的上限值或下限值。