[发明专利]基于三维印录存储器的可编程门阵列有效

申请号：	201710126062.0	申请日：	2017-03-05
公开（公告）号：	CN107154797B	公开（公告）日：	2021-01-08
发明（设计）人：	张国飙	申请（专利权）人：	杭州海存信息技术有限公司
主分类号：	H03K19/17704	分类号：	H03K19/17704
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	310051 浙江***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	基于三维存储器可编程门阵列
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【权利要求书】：

1.一种基于三维印录存储器3D-P的可编程计算单元(100)，其特征在于含有：

一第一3D-P阵列(110)，所述第一3D-P阵列(110)存储一第一数学函数的至少部分查找表（LUT A）；

一第二3D-P阵列(120)，所述第二3D-P阵列(120)存储一第二数学函数的至少部分查找表（LUT B）；

一与所述第一3D-P阵列(110)和所述第二3D-P阵列(120)均耦合的可编程连接(160)，所述可编程连接(160)选择性地将所述第一3D-P阵列(110)或所述第二3D-P阵列(120)与所述可编程计算单元(100)的一输出(135)耦合；

当所述可编程连接(160)将所述第一3D-P阵列(110)与所述输出(135)耦合时，所述可编程计算单元(100)实现所述第一数学函数；

当所述可编程连接(160)将所述第二3D-P阵列(120)与所述输出(135)耦合时，所述可编程计算单元(100)实现所述第二数学函数。

2.根据权利要求1所述的可编程计算单元(100)，其特征还在于：所述第一3D-P阵列(110)和所述第二3D-P阵列(120)并排排列。

3.根据权利要求1所述的可编程计算单元(100)，其特征还在于：所述第一3D-P阵列(110)和所述第二3D-P阵列(120)相互堆叠。

4.根据权利要求1所述的可编程计算单元(100)，其特征还在于：存储在所述第一和第二3D-P阵列(110, 120)中的数据是在生产过程中通过一印刷方法录入的，所述印刷方法包括光刻（photo-lithography）、纳米压印法（nano-imprint）、电子束扫描曝光（e-beamlithography）、DUV扫描曝光和激光扫描曝光(laser programming)中的至少一种。

5.一种可编程门阵列(400)，其特征在于含有：

一含有至少一可编程计算单元(100)的可编程计算单元阵列(100AA-100AD)，所述可编程计算单元(100) 基于三维印录存储器（3D-P）并从一基本数学函数库中选择性地实现一种基本数学函数；

一含有至少一可编程逻辑单元(200)的可编程逻辑单元阵列(200AA-200AD)，所述可编程逻辑单元(200)从一逻辑运算库中选择性地实现一种逻辑运算；

多个将所述可编程计算单元阵列和所述可编程逻辑单元阵列耦合的可编程连接(300)；

所述可编程门阵列(400)通过对所述可编程计算单元(100AA-100AD)、所述可编程逻辑单元(200AA-200AD)和所述可编程连接(300)进行编程以实现一复杂数学函数，所述复杂数学函数是所述基本数学函数库中基本数学函数的一种组合。

6.根据权利要求5所述的可编程门阵列(400)，所述可编程计算单元(100)含有：

一第一3D-P阵列(110)，所述第一3D-P阵列(110)存储一第一基本数学函数的至少部分查找表（LUT A）；

一第二3D-P阵列(120)，所述第二3D-P阵列(120)存储一第二基本数学函数的至少部分查找表（LUT B）；

当所述可编程连接(160)将所述第一3D-P阵列(110)与所述输出(135)耦合时，所述可编程计算单元(100)实现所述第一基本数学函数；

当所述可编程连接(160)将所述第二3D-P阵列(120)与所述输出(135)耦合时，所述可编程计算单元(100)实现所述第二基本数学函数‘

所述第一和第二基本数学函数属于所述基本数学函数库。

7.根据权利要求6所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：所述第一3D-P阵列(110)或所述第二3D-P阵列(120)堆叠在所述可编程逻辑单元(200)上方。