[发明专利]一种AMOLED显示器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示器件技术领域，具体为一种AMOLED显示器件及其制造方法。

背景技术

在平板显示技术中，主动矩阵有机发光二极管（AMOLED）显示器件以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器（LCD）之后的第三代显示技术，可以广泛用于智能手机、平板电脑、电视、VR/AR（虚拟现实/增强现实）及军用头盔显示器等终端产品。AMOLED的彩色化方法主要有采用红、绿、蓝（R、G、B）发光材料直接得到对应的三基色子像素（这里称之为RGB直接法）和采用“白光+彩色滤光膜”（W+CF）得到三基色子像素（这里称之为W+CF法）两种方式； AMOLED的彩色化像素图案的制造方法也主要有两种：一是采用精细金属掩模板（MASK）真空蒸镀有机发光材料直接形成彩色化像素图案（这里称之为掩模板法），二是首先制造出白光OLED器件，然后再在其上覆盖彩色滤光膜形成彩色化像素图案（这里称之为滤光膜法）。但无论采用上述现有技术的哪一种组合方案，均难以在生产大尺寸、高解析度AMOLED显示器件和提高量产良率、改善显示性能等诸要素方面得到较好的的解决方案，此为行业目前面临的共性技术难题。比如，目前广泛采用的RGB直接法、用掩模板法制备RGB条状排列像素图案的技术方案，虽然能得到很好的显示性能，但由于MASK对位精度、MASK阴影、MASK变形等因素将严重影响形成精准的彩色化像素图案，因此难以提高生产良率且很难生产解析度在300ppi以上或在6代线以上生产大尺寸AMOLED显示屏；在此基础上，出现一种PenTile RGB像素排列结构，虽然可以将解析度提高到600ppi，但依然不能解决生产高世代、大尺寸AMOLED的难题，且PenTile RGB像素排列存在图像串扰加重、莫尔效应明显、斜线锯齿恶化及需特别的驱动方法等新问题；采用RGB条状排列的W+CF的滤光膜法，虽然可以生产更高解析度和高世代、大尺寸的AMOLED，但由于滤光膜对色光的衰减，AMOLED的亮度、色彩、功耗等性能被大大降低；采用WRGB像素排列的W+CF的滤光膜法，虽然显示性能有所改善但仍不及RGB直接法，且仍难以生产用于VR/AR及头盔显示器等对解析度要求高达4000ppi以上的微显示AMOLED器件。为此，我们提出一种AMOLED显示器件及其制造方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种AMOLED显示器件及其制造方法，以解决上述背景技术中提出的现有的技术无法解决生产大尺寸、高解析度AMOLED显示器件，而且产品的产量率低，显示性能不好的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种AMOLED显示器件，该AMOLED显示器件的发光像素单元呈矩阵排列，且每个发光像素单元包括白色子像素单元W、红色子像素单元R、绿色子像素单元G和蓝色子像素单元B，所述白色子像素单元W、红色子像素单元R、绿色子像素单元G和蓝色子像素单元B呈矩形排列，且上下左右相邻像素的同色子像素每四个呈“田”字形集中排列成一个组合。

优选的，每相邻两行像素单元的子像素单元以该两行像素单元的中心线为轴心对称排列，且每相邻两列像素单元的子像素单元以该两列像素单元的中心线为轴心也对称排列。

优选的，上下左右相邻像素单元的同色子像素单元每四组呈“田”字形集中排列成一个组合。

本发明的另一个目的是提供一种AMOLED显示器件的制备方法，其中，该AMOLED显示器件的制备方法包括如下步骤：

S1：制备AMOLED显示器件的彩色化像素图案的MASK：在MASK1开矩形开孔，每个开孔分别对应一组同色的四个子像素单元，开孔的长度和宽度与对应的像素的长度和宽度相同，每相邻两组开孔之间的水平间距和垂直间距分别等于一个像素单元的长度和宽度，在像素单元为正方形时，开孔的长度和宽度相等，在MASK2上开长方形孔，每个开孔分别对应相邻两行同色的子像素单元，开孔长度为整张MASK2的长度，开孔宽度等于一个像素单元的宽度，开孔间距也等于一个像素单元的宽度，在MASK3上开长方形孔，开孔垂直方向的长度为MASK3的垂直长度相同，每个开孔分别对应相邻两列同色的子像素单元；