[发明专利]一种PECVD双面沉积设备

权利要求书

1.一种PECVD双面沉积设备，其特征在于，包括上料区、加热腔、工艺腔、降温区和下料区，所述上料区、加热腔、工艺腔、降温区和下料区依次连接；所述工艺腔设有上通气板和下通气板，以及与上通气板和下通气板连通的气源装置；

所述上通气板和下通气板皆设有通气孔，上通气板和下通气板平行设置并在两板之间设有一条容纳硅片通行的通道；

上通气板或下通气板所在平面与水平面所成夹角为1-5度。

2.如权利要求1所述PECVD双面沉积设备，其特征在于，所述上通气板设有100-500个通气孔，通气孔的直径为1-10mm；所述下通气板设有100-500个通气孔，通气孔的直径为1-10mm。

3.如权利要求1所述PECVD双面沉积设备，其特征在于，所述上通气板的通气孔以方阵形式排列，通气孔的间距为1-10mm；所述下通气板的通气孔以方阵形式排列，通气孔的间距为1-10mm。

4.如权利要求3所述PECVD双面沉积设备，其特征在于，所述上通气板的通气孔与下通气板的通气孔排列方式和间距相同。

5.如权利要求1所述PECVD双面沉积设备，其特征在于，所述气源装置设有氨气气罐和硅烷气罐，氨气气罐和硅烷气罐与上通气板经导管连通；氨气气罐和硅烷气罐与下通气板经导管连通。

6.如权利要求5所述PECVD双面沉积设备，其特征在于，通气孔设有第一通气孔和第二通气孔，第一通气孔与氨气气罐连通，第二通气孔与硅烷气罐连通。

7.如权利要求1所述PECVD双面沉积设备，其特征在于，上通气板和下通气板由石英板材制成。

8.如权利要求1所述PECVD双面沉积设备，其特征在于，上通气板和下通气板之间的距离为50-300mm。