[发明专利]一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示器

说明书

一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示器。该发光二极管显示基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的发光二极管以及自组装单分子层。该发光二极管包括石墨烯层，且石墨烯层设置在发光二极管靠近衬底基板的一侧；自组装单分子层设置在石墨烯层与衬底基板之间且与石墨烯层连接。该发光二极管显示基板一方面利用了石墨烯与氮化镓晶格匹配的特点有助于氮化镓在转移基板上长晶，而且石墨烯是导电材料，硬度和柔韧性都比较好，既可以做基底，又可以做电极，还可以作为媒介进行卷对卷载体转移工艺；另一方面采用自组装单分子层与石墨烯层以化学键形式连接，从而增加了发光二极管与衬底基板的连接强度。

技术领域

本发明至少一个实施例涉及一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示器。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种能发光的半导体电子元件，具有体积小、亮度高、能耗小的特点，被广泛的应用于显示屏，背光源、照明等显示领域。微型发光二极管(Micro LED)具有驱动电压低、省电、亮度高等特点，因此在显示技术中的潜力非常巨大。

发明内容

本发明的至少一实施例提供一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示器。该发光二极管显示基板一方面利用了石墨烯与氮化镓晶格匹配的特点有助于氮化镓在转移基板上长晶，而且石墨烯是导电材料，硬度和柔韧性都比较好，既可以做基底，又可以做电极，还可以作为媒介进行卷对卷载体转移工艺；另一方面采用自组装单分子层(self-assembly monolayer)与石墨烯层以化学键形式连接，从而增加了发光二极管与衬底基板的连接强度。

本发明的至少一实施例提供一种发光二极管显示基板，该发光二极管显示基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的发光二极管以及设置在发光二极管与衬底基板之间的自组装单分子层。该发光二极管包括石墨烯层，且石墨烯层设置在发光二极管靠近衬底基板的一侧；自组装单分子层设置在石墨烯层与衬底基板之间且与石墨烯层连接。

例如，在本发明的一个实施例中，自组装单分子层包括至少一种有机分子，有机分子的两端分别包括叠氮官能团与氨基官能团，且叠氮官能团与石墨烯层中的石墨烯分子以化学键形式相连。

例如，在本发明的一个实施例中，有机分子包括4-重氮基-2,3,5,6-四氟苯甲酸乙胺。

例如，在本发明的一个实施例中，该发光二极管显示基板还包括：有机膜层，设置在自组装单分子层与衬底基板之间，且与自组装单分子层中的氨基官能团通过氢键连接。

例如，在本发明的一个实施例中，发光二极管还包括设置在石墨烯层上的半导体层以及设置在半导体层上的导电层。

例如，在本发明的一个实施例中，该发光二极管显示基板还包括：保护层，设置在导电层的部分上表面。

例如，在本发明的一个实施例中，石墨烯层包括在沿平行于衬底基板的第一方向延伸超过半导体层的突出部分，且保护层设置在半导体层的侧面并连接到石墨烯层的突出部分。

例如，在本发明的一个实施例中，该发光二极管显示基板还包括：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括漏极，该漏极与石墨烯层电连接。

例如，在本发明的一个实施例中，发光二极管的尺寸为1微米-100微米。

本发明的至少一实施例提供一种发光二极管显示基板的制作方法，该发光二极管显示基板的制作方法，包括：在转移基板上形成石墨烯层；在石墨烯层上形成半导体层以及导电层以形成发光二极管；在衬底基板上形成自组装单分子层；将发光二极管从转移基板上转移到自组装单分子层上，并使石墨烯层连接到自组装单分子层。

例如，在本发明的一个实施例中，自组装单分子层包括至少一种有机分子，有机分子的两端分别包括叠氮官能团与氨基官能团。

例如，在本发明的一个实施例中，将发光二极管从转移基板上转移之前包括：在导电层的部分上表面形成保护层。