[发明专利]带超量程保护的高g值三轴集成式加速度传感器有效
申请号: | 201710123219.4 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN106872728B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 马少杰;陈宏亮;王晓东;李飞胤 | 申请(专利权)人: | 苏州戎维邦信息技术有限公司 |
主分类号: | G01P15/12 | 分类号: | G01P15/12 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 滕诣迪 |
地址: | 215513 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量程 保护 值三轴 集成 加速度 传感器 | ||
1.带超量程保护的高g值三轴集成式加速度传感器,包括三个相互独立的硅MEMS压阻式加速度检测单元,其特征在于:X和Y方向加速度检测单元的结构完全相同,X方向加速度检测单元(7)包括X轴超量程保护曲面(5)、硅框架(15)、带曲面的X轴质量块(1)、X轴主悬臂梁(6)、X轴敏感梁(2)、X轴压敏电阻(3)、X轴基准电阻(4),X轴质量块(1)通过X轴主悬臂梁(6)、X轴敏感梁(2)和硅框架(15)连接;Y方向加速度检测单元(14)包括Y轴超量程保护曲面(8)、硅框架(15)、带曲面Y轴质量块(9)、Y轴主悬臂梁(13)、Y轴敏感梁(12)、Y轴压敏电阻(10)、Y轴基准电阻(11),Y轴质量块(9)通过Y轴主悬臂梁(13)、Y轴敏感梁(12)和硅框架(15)连接;X、Y方向加速度检测单元在平面内相互垂直布置;Z方向加速度检测单元(21)包括Z轴超量程保护曲面(17)、硅框架(15)、Z轴质量块(16)、“人”字型悬臂梁(20)、Z轴压敏电阻 (18)、Z轴基准电阻(19),Z轴质量块通过“人”字型悬臂和硅框架连接,且“人”字型悬臂梁的厚度要比Z轴质量块的厚度小;在Z轴质量块的上下两侧对称设置有超量程保护曲面;在“人”字型悬臂梁两条腿的根部分别设置有两个平行的、用于检测应力大小的Z轴压敏电阻,且在靠近“人”字型悬臂梁的硅框架上对称的设置有4个Z轴基准电阻,这8个电阻构成惠斯通电桥检测电路。
2.根据权利要求1所述的带超量程保护的高g值三轴集成式加速度传感器,其特征在于X方向加速度检测单元(7)的X轴主悬臂梁(6)的尺寸要比X轴敏感梁(2)的尺寸大1个数量级左右,X轴主悬臂梁(6)截面形状为矩形,尺寸上Z方向上的边长要比X方向上的边长要大,X轴主悬臂梁(6)的Y方向的长度为X方向长度的1-3倍;X轴质量块(1)的末端Y方向对称分布了两个X轴敏感梁(2),X轴敏感梁(2)的厚度比X轴主悬臂梁(6)的厚度小1个数量级;在 X轴敏感梁(2)上表面各设置有1个用于检测应力大小的压敏电阻,同时在靠近X轴敏感梁的 硅框架上也各设置有1个基准电阻,基准电阻的阻值大小不随外部环境改变,这四个电阻组成惠斯通 电桥检测电路;在X轴质量块的两侧对称设置有超量程保护曲面。
3.根据权利要求1所述的带超量程保护的高g值三轴集成式加速度传感器,其特征在于Y方向加速度检测单元(14)的Y轴主悬臂梁的尺寸要比Y轴敏感梁的尺寸大1个数量级左右,Y轴主悬臂梁截面形状为矩形,尺寸上Z方向上的边长要比Y方向上的边长要大,Y轴主悬臂梁在X方向的长度为Y方向长度的1-3倍;Y轴在质量块末端X方向对称分布了两个Y轴敏感梁,Y轴敏感梁的厚度比Y轴主悬臂梁的厚度小1个数量级;在Y轴敏感梁上表面各设置有1个用于检测应力大小的压敏电阻,同时在靠近Y轴敏感梁的硅框架上也各设置有1个基准电阻,基础阻值大小不随外部环境改变,这四个电阻组成惠斯通电桥检测电路;在Y轴质量块的两侧对称设置有超量程保护曲面。
4.根据权利要求1所述的带超量程保护的高g值三轴集成式加速度传感器,其特征在于三个硅MEMS压阻式检测单元采用完全相同的工艺制作在同一个芯片上。
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