[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201710123023.5 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN107275182B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 八幡橘;高野智;丰田一行;大桥直史;高崎唯史 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种衬底处理装置,具有
对衬底进行处理的处理容器,
衬底载置部,所述衬底载置部以在对所述衬底进行处理时所处的衬底处理位置、和将所述衬底搬入所述处理容器时所处的衬底搬送位置之间上下可动的方式构成,所述衬底载置部具有将衬底加热至第一温度的第一加热部、且具有在所述衬底处理位置供衬底载置的衬底载置面,
提升销,在所述衬底载置于所述衬底载置部之前,所述提升销载置所述衬底,
加热气体供给系统,具有加热非活性气体的第二加热部,对所述处理容器供给加热过的所述非活性气体,和
控制部,其以在所述衬底载置部从所述衬底搬送位置向所述衬底处理位置移动期间使所述衬底的表面和背面成为规定的温度范围的方式,在衬底载置于所述提升销上的状态下控制所述第一加热部,并且控制所述加热气体供给系统以供给由所述第二加热部加热后的所述非活性气体。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,进一步具有
对所述处理容器供给处理气体的处理气体供给系统,和将所述处理容器的气氛排出的排气系统,
所述控制部以下述方式控制所述处理气体供给系统、所述排气系统、所述加热气体供给系统:当所述衬底移动至所述衬底处理位置后,停止所述非活性气体的供给并且从所述排气系统将所述处理容器的气氛排出,之后,从所述处理气体供给系统供给所述处理气体。
3.根据权利要求1所述的衬底处理装置,进一步具有
对所述处理容器供给处理气体的处理气体供给系统,
所述控制部以下述方式进行控制:对所述处理容器供给所述处理气体从而对所述衬底进行处理,对所述衬底进行处理后,停止所述处理气体的供给,且从所述加热气体供给系统供给所述非活性气体。
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置,进一步具有
对所述处理容器供给处理气体的处理气体供给系统,
所述控制部以下述方式控制所述处理气体供给系统:对所述衬底进行处理时,交替对所述处理容器重复供给作为所述处理气体的第一气体和第二气体,且在所述第一气体与所述第二气体的供给之间,对所述处理容器供给吹扫气体;且所述控制部以下述方式控制所述加热气体供给系统:在供给所述吹扫气体期间,供给所述非活性气体。
5.根据权利要求4所述的衬底处理装置,从所述加热气体供给系统供给的所述非活性气体的温度高于从所述处理气体供给系统供给的吹扫气体的温度。
6.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述加热气体供给系统设置于与所述衬底载置面相对的位置。
7.根据权利要求1所述的衬底处理装置,进一步具有
经由分散孔对所述处理容器供给处理气体的处理气体供给系统,
所述分散孔和所述加热气体供给系统设置于在所述处理容器的上游配置的分散部上。
8.根据权利要求7所述的衬底处理装置,其中,所述加热气体供给系统具有设置于气体滞留空间的上方的上壁、和设置于所述气体滞留空间的侧方的侧壁。
9.根据权利要求8所述的衬底处理装置,其中,关于所述加热气体供给系统,在所述上壁的外周设置凹部,所述凹部构成与所述加热气体供给系统连通的缓冲空间,且所述凹部以圆周状构成。
10.根据权利要求9所述的衬底处理装置,其中,关于所述加热气体供给系统,在所述缓冲空间的下方设置所述加热气体供给系统的底壁。
11.根据权利要求10所述的衬底处理装置,其中,所述底壁由与所述衬底载置面相对的位置为空洞、且其外周连续的板状体构成。
12.根据权利要求10所述的衬底处理装置,其中,所述底壁构成为与所述衬底载置面相对的位置为空洞,在其外周断续地设置向所述气体滞留空间方向突出的主要部。
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