[发明专利]一种双介质宽带红外吸波超材料及其设计方法有效
申请号: | 201710122585.8 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN106772706B | 公开(公告)日: | 2018-07-27 |
发明(设计)人: | 周佩珩;甄国帅;杨林;邓龙江 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G02B1/00 | 分类号: | G02B1/00;G02B5/20;G02B5/22 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 闫树平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 介质 宽带 红外 吸波超 材料 及其 设计 方法 | ||
1.一种双介质宽带红外吸波超材料,其特征在于:由下至上依次包括TiN薄膜、第一介质材料薄膜、第二介质材料薄膜和金属光栅;
所述TiN薄膜的厚度大于红外波段电磁波在TiN中的趋肤深度;金属光栅的单元结构为金属方块,周期为5μm;金属方块的边长为1.6μm-2.1μm;金属光栅的厚度大于红外波段电磁波在金属中的趋肤深度;第一介质材料薄膜的相对介电常数大于5,厚度为400nm~700nm;第二介质材料薄膜的相对介电常数小于2.5,厚度为200nm-500nm;两种介质材料薄膜的总厚度小于1μm。
2.如权利要求1所述双介质宽带红外吸波超材料,其特征在于:所述金属光栅的材料为铝、铜、金或银。
3.如权利要求1所述双介质宽带红外吸波超材料,其设计方法具体如下:
步骤1、判断是否需要表面等离子体基元参与耦合;
如果吸收波段包括5μm-5.5μm,考虑表面等离子体基元的耦合,第一介质材料薄膜的厚度h2小于500nm;如果吸收波段不包括5μm-5.5μm,排除表面等离子体基元的耦合,第一种介质材料薄膜的厚度h2大于500nm;
步骤2、确定第一介质材料薄膜的相对介电常数ε1;
限定第一介质材料薄膜的厚度为最大边界厚度,即h2=700nm;入射波长取吸收波段的中心波长,根据驻波激发波长λ≈4ε11/2h2,计算ε1的最佳值;然后选择相对介电常数最接近ε1最佳值的材料为第一介质材料,第二介质材料薄膜的相对介电常数在吸收波段小于2.5;
步骤3、确定金属方块边长l和第一介质材料薄膜的厚度h2;
限定第二介质材料薄膜的厚度为中心厚度,即h3=350nm;在1.6μm-2.1μm范围内依次取l的值,根据步骤1的结果,针对每一个l的值在400nm-500nm或500nm-700nm范围内扫描第一介质材料薄膜的厚度h2,观察吸收曲线中磁谐振与驻波的耦合效果,选取宽带吸收效果最好的一对l与h2的值;
步骤4、确定第二介质材料薄膜的厚度h3;
在200nm-500nm范围内扫描第二介质材料薄膜的厚度h3,观察吸收曲线中磁谐振与驻波的耦合效果,选取宽带吸收效果最好的h3的值。
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