[发明专利]一种双介质宽带红外吸波超材料及其设计方法有效

专利信息
申请号: 201710122585.8 申请日: 2017-03-03
公开(公告)号: CN106772706B 公开(公告)日: 2018-07-27
发明(设计)人: 周佩珩;甄国帅;杨林;邓龙江 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G02B1/00 分类号: G02B1/00;G02B5/20;G02B5/22
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 闫树平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 介质 宽带 红外 吸波超 材料 及其 设计 方法
【权利要求书】:

1.一种双介质宽带红外吸波超材料,其特征在于:由下至上依次包括TiN薄膜、第一介质材料薄膜、第二介质材料薄膜和金属光栅;

所述TiN薄膜的厚度大于红外波段电磁波在TiN中的趋肤深度;金属光栅的单元结构为金属方块,周期为5μm;金属方块的边长为1.6μm-2.1μm;金属光栅的厚度大于红外波段电磁波在金属中的趋肤深度;第一介质材料薄膜的相对介电常数大于5,厚度为400nm~700nm;第二介质材料薄膜的相对介电常数小于2.5,厚度为200nm-500nm;两种介质材料薄膜的总厚度小于1μm。

2.如权利要求1所述双介质宽带红外吸波超材料,其特征在于:所述金属光栅的材料为铝、铜、金或银。

3.如权利要求1所述双介质宽带红外吸波超材料,其设计方法具体如下:

步骤1、判断是否需要表面等离子体基元参与耦合;

如果吸收波段包括5μm-5.5μm,考虑表面等离子体基元的耦合,第一介质材料薄膜的厚度h2小于500nm;如果吸收波段不包括5μm-5.5μm,排除表面等离子体基元的耦合,第一种介质材料薄膜的厚度h2大于500nm;

步骤2、确定第一介质材料薄膜的相对介电常数ε1

限定第一介质材料薄膜的厚度为最大边界厚度,即h2=700nm;入射波长取吸收波段的中心波长,根据驻波激发波长λ≈4ε11/2h2,计算ε1的最佳值;然后选择相对介电常数最接近ε1最佳值的材料为第一介质材料,第二介质材料薄膜的相对介电常数在吸收波段小于2.5;

步骤3、确定金属方块边长l和第一介质材料薄膜的厚度h2

限定第二介质材料薄膜的厚度为中心厚度,即h3=350nm;在1.6μm-2.1μm范围内依次取l的值,根据步骤1的结果,针对每一个l的值在400nm-500nm或500nm-700nm范围内扫描第一介质材料薄膜的厚度h2,观察吸收曲线中磁谐振与驻波的耦合效果,选取宽带吸收效果最好的一对l与h2的值;

步骤4、确定第二介质材料薄膜的厚度h3

在200nm-500nm范围内扫描第二介质材料薄膜的厚度h3,观察吸收曲线中磁谐振与驻波的耦合效果,选取宽带吸收效果最好的h3的值。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710122585.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top