[发明专利]晶体振子

说明书

技术领域

本发明涉及一种使用了经双旋转切割的晶体片的晶体振子。

背景技术

已知使用经双旋转切割的晶体片的双旋转晶体振子(doubly rotated crystal resonator)，所述经双旋转切割的晶体片是与X′轴及Z′轴平行地将晶体切断而形成，所述X′轴是以作为结晶轴的Z轴为中心而使作为晶体的结晶轴的X轴旋转φ度所得，所述Z′轴是以X′轴为中心而使Z轴旋转θ度所得。例如，专利文献1中，例如示出φ约为22度、θ约为34度的SC切割的晶体振子。此种双旋转晶体振子比起AT切割晶体振子而热冲击特性良好，且在80℃左右的相对高的温度下显示出零温度系数，因此，例如作为收纳在加热到80℃左右的一定温度的恒温槽内而稳定度高的晶体振荡器使用。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开平5-243890号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

然而，如专利文献1所示的双旋转晶体振子中，存在如下问题，即，轮廓系、弯曲系的副振动与主振动耦合，而容易产生由温度变化引起的急剧的频率变化及晶体阻抗(crystal impedance，CI)的变化。而且，双旋转晶体振子与AT切割的晶体振子彼此的振动模式不同，因而，也难以直接将AT切割的晶体振子的技术用于双旋转晶体振子来抑制副振动。

因此，本发明的目的在于，提供抑制副振动与主振动的耦合而CI值被抑制得低的晶体振子。

[解决问题的技术手段]

第一方面的晶体振子包括：平板状的晶体片，具有与X′轴及Z′轴平行的主面，所述X′轴是以作为晶体的结晶轴的Z轴为中心而使作为晶体的结晶轴的X轴在15度至25度的范围内旋转所得，所述Z′轴是以X′轴为中心而使Z轴在33度至35度的范围内旋转所得；以及激振电极，形成于晶体片的各主面。而且，各激振电极形成为椭圆形形状，椭圆形形状的长轴相对于X′轴延伸的方向而在-5度至+15度的范围的方向上延伸。

第二方面的晶体振子包括：平板状的晶体片，具有与X′轴及Z′轴平行的主面，所述X′轴是以作为晶体的结晶轴的Z轴为中心而使作为晶体的结晶轴的X轴在15度至25度的范围内旋转所得，所述Z′轴是以X′轴为中心而使Z轴在33度至35度的范围内旋转所得；以及激振电极，形成于晶体片的各主面。而且，各激振电极形成为椭圆形形状，椭圆形形状的长轴相对于Z′轴延伸的方向而在±5度的范围的方向上延伸。

第三方面的晶体振子如第一方面及第二方面，晶体片形成为一根对角线相对于Z′轴处于±10°的范围的正方形或长方形、或者一条边相对于所述Z′轴处于±10°的范围的正方形或长方形(其中，正方形、长方形也包括晶体片的角部为R状等的大致正方形、大致长方形)。另外，此处叙述为±10°的理由在于，如果处于该范围，则在将本发明中提及的激振电极配置于特定的位置后，进而能够减小支撑晶体片时的影响且能够选择晶体片的加工容易的晶体片。

第四方面的晶体振子如第一方面至第三方面，长轴与椭圆形形状的短轴之比为1.1∶1至2.0∶1的范围。

第五方面的晶体振子包括：平板状的晶体片，具有与X′轴及Z′轴平行的主面，所述X′轴是以作为晶体的结晶轴的Z轴为中心而使作为晶体的结晶轴的X轴在15度至25度的范围内旋转所得，所述Z′轴是以X′轴为中心而使Z轴在33度至35度的范围内旋转所得；以及激振电极，形成于晶体片的各主面。各激振电极形成为第一椭圆形形状与第二椭圆形形状合成所得的形状，所述第一椭圆形形状是长轴相对于X′轴延伸的方向而在-5度至+15度的范围的方向上延伸的形状，所述第二椭圆形形状是长轴相对于Z′轴延伸的方向而在±5度的范围的方向上延伸的形状。

第六方面的晶体振子如第五方面，第一椭圆形形状的长轴与短轴之比为1.1∶1至2.0∶1的范围，第二椭圆形形状的长轴与短轴之比为11∶1至2.0∶1的范围。

第七方面的晶体振子如第一方面至第六方面，晶体片以规定的频率振动，激振电极包括厚度为固定的中央部、及形成于中央部的周围且从内周侧到外周侧而厚度变薄的倾斜部，倾斜部的内周侧与外周侧的宽度比晶体片的不必要振动的波长的1/2长。

第八方面的晶体振子如第一方面至第七方面，激振电极的厚度为晶体片的厚度的0.03％至0.18％之间。

[发明的效果]

根据本发明的晶体振子，能够抑制副振动与主振动的耦合，且CI值被抑制得低。

附图说明

图1是双旋转切割的晶体片110的说明图。