[发明专利]场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在一基底上形成一鳍结构，所述鳍结构包括依次排列的第一区域、第二区域和第三区域；

去除所述第一区域和第三区域中的至少部分鳍结构，以露出所述第一区域和第三区域下方的基底；

形成一隔离层，所述隔离层覆盖所述基底；

形成源极、漏极和栅极结构，所述栅极结构横跨所述第二区域，所述源极和漏极分别位于所述栅极结构的两侧，且位于所述隔离层之上。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，

所述鳍结构为混合鳍结构，所述混合鳍结构包括在所述基底上依次交错堆叠的第一半导体层和第二半导体层，且所述第一半导体层和第二半导体层均至少为一层，所述混合鳍结构包括依次排列的所述第一区域、第二区域和第三区域；

去除所述第一区域和第三区域中的至少部分鳍结构的步骤包括：去除所述第一区域和第三区域中的第一半导体层，以露出所述第一区域和第三区域下方的基底；

在形成所述隔离层的步骤中：所述隔离层覆盖所述基底，且位于最下面的第二半导体层之下。

3.如权利要求1或2所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述隔离层为单层结构或叠层结构。

4.如权利要求1或2所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述隔离层为硅化物层。

5.如权利要求4所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述硅化物层为氧化硅层或氮化硅层的单层结构；或者所述硅化物层为氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层的叠层结构。

6.如权利要求1或2所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，，所述隔离层的厚度范围为1nm-100nm之间。

7.如权利要求2所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，采用湿法刻蚀去除所述第一区域和第三区域中的第一半导体层，以露出所述第一区域和第三区域下方的基底。

8.如权利要求2所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，形成所述隔离层的步骤包括：

沉积一第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述基底和第二半导体层；

通过回刻方式使所述第一隔离层形成所述隔离层。

9.如权利要求2所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二半导体层为单晶硅层。

10.如权利要求2所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一半导体层为单晶锗层或者单晶锗硅层。

11.如权利要求2所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，在一基底上形成一混合鳍结构的步骤和去除所述第一区域和第三区域中的第一半导体层的步骤之间，还包括：

沉积一介质层，所述介质层覆盖所述基底和混合鳍结构；

形成一伪栅极结构，所述伪栅极结构横跨所述第二区域；

在所述伪栅极结构的两侧形成侧墙。

12.权利要求11所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，形成源极、漏极和栅极结构的步骤包括：

在所述侧墙的外侧且在所述隔离层之上形成源极和漏极；

去除所述伪栅极结构，在所述侧墙的内侧形成一凹槽，以露出所述第二区域的混合鳍结构；

去除所述第二区域中的第一半导体层，使所述第二半导体层悬置于所述凹槽中；

形成一栅极结构，所述栅极结构填充满所述凹槽。

13.如权利要求12所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极结构包括覆盖所述基底和第二半导体层的栅介质层和导电层，所述导电层位于所述栅介质层的上表面。

14.如权利要求13所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述导电层为金属层或多晶硅层。