[发明专利]集成电路气密性封盖工艺用底座在审
| 申请号： | 201710120614.7 | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN106910704A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 陈陶;丁雪龙 | 申请（专利权）人： | 无锡中微高科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 殷红梅,涂三民 |
| 地址： | 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 气密性 工艺 底座 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成电路气密性封盖工艺用底座，其特征是：它包括底座本体（1），在底座本体（1）的上表面开设有若干组交叉凹槽，每组交叉凹槽均包括横向凹槽（1.1）与纵向凹槽（1.2），横向凹槽（1.1）与纵向凹槽（1.2）呈垂直相连，横向凹槽（1.1）为长方形凹槽，纵向凹槽（1.2）为长圆形凹槽，且横向凹槽（1.1）的中心与纵向凹槽（1.2）的中心重合，在底座本体（1）的上表面设有定位柱（1.3），在对应纵向凹槽（1.2）位置的底座本体（1）的下表面开设有夹钳槽口（1.4），夹钳槽口（1.4）的左右对称中心线与纵向凹槽（1.2）的左右对称中心线重合。
2.如权利要求1所述的集成电路气密性封盖工艺用底座，其特征是：所述夹钳槽（1.4）的宽度小于纵向凹槽（1.2）的宽度。
3.如权利要求1所述的集成电路气密性封盖工艺用底座，其特征是：所述纵向凹槽（1.2）的两端部均为半圆形。
4.如权利要求1所述的集成电路气密性封盖工艺用底座，其特征是：所述横向凹槽（1.1）的宽度与纵向凹槽（1.2）的宽度相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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