[发明专利]高导热封装基板在审
| 申请号： | 201710119406.5 | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN107634037A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 王晓嗣 | 申请（专利权）人： | 天津开发区天地信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L23/373 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300070 天津市滨海新区天津开*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导热 封装 | ||
【权利要求书】：
1.一种高导热的封装基板，由双面敷有导电层（1）的陶瓷（2）和微热管（3）构成，其特征是：导电层有图案，一面图案用于封装功率电力电子器件，功率微波器件，逻辑控制电路，检测电路，引线等；另一面图案与微热管相连。
2.按照权利要求1所述的高导热的封装基板，其特征在于：导电层是无氧铜箔或者纯铝箔，导电层厚度：0.1～0.6mm。
3.按照权利要求1所述的高导热的封装基板，其特征在于：陶瓷是导热陶瓷。
4.按照权利要求1所述的高导热的封装基板，其特征在于：导电层是通过直接键合，活性金属钎焊法，纳米银工艺与陶瓷紧密结合。
5.按照权利要求1所述的高导热的封装基板，其特征在于：微热管由铜铝材料制造。
6.按照权利要求1所述的高导热的封装基板，其特征在于：微热管和导电层之间通过真空摩擦焊，活性金属钎焊法，纳米银工艺紧密连接。
7.按照权利要求3所述的高导热的封装基板，其特征在于：导热陶瓷是氧化铝，氮化铝，碳化硅，氧化铍，氮化硅，陶瓷厚度0.25～1.00mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津开发区天地信息技术有限公司，未经天津开发区天地信息技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710119406.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种无纺布制品快速成型机
- 下一篇：半导体制程方法
