[发明专利]反应腔室有效
| 申请号: | 201710117649.5 | 申请日: | 2017-03-01 |
| 公开(公告)号: | CN108538745B | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
| 发明(设计)人: | 聂淼;韦刚;郭士选 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 反应 | ||
1.一种反应腔室,包括接地的腔体,在所述腔体内设置有下电极和内衬组件,所述内衬组件包括衬环,所述衬环包括环形凸台、筒体和环形部,所述筒体的上端与所述环形凸台连接,所述环形凸台的下表面搭接在所述腔体的顶部端面上,以通过所述腔体接地;所述环形凸台的下表面与所述腔体的顶部端面之间还设置有密封圈,所述密封圈相对于所述腔体的顶部端面凸出;所述环形部水平设置在所述筒体的下端,且环绕在所述下电极的周围,并且在所述环形部上设置有沿其周向环绕的多个第一筛孔,其特征在于,所述内衬组件还包括环形垫板,
所述环形垫板叠置在所述环形部上,且在所述环形垫板上设置有多个第二筛孔,所述第二筛孔的数量与所述第一筛孔的数量相对应,且所述第二筛孔与所述第一筛孔一一对应地设置;所述第一筛孔和所述第二筛孔均用于湮灭等离子体;所述环形垫板由导电材料制成;
每个所述第二筛孔的形状被设置为使所述环形部的部分表面通过所述第二筛孔暴露在所述腔体的内部环境中;
所述第一筛孔的深度为2~4mm;所述第二筛孔的深度为2~8mm。
2.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,每个所述第一筛孔包括第一长形孔,所述第一长形孔的长径轴线沿所述环形部的径向设置。
3.根据权利要求2所述的反应腔室,其特征在于,每个所述第二筛孔包括第二长形孔,所述第二长形孔的形状与所述第一长形孔的形状相同。
4.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,每个所述第一筛孔包括第一长形孔,所述第一长形孔的长径轴线沿所述环形部的径向设置;
每个所述第二筛孔包括第二长形孔及一个或多个扩孔,其中,所述第二长形孔的形状与所述第一长形孔的形状相同;
所述扩孔的沿所述环形垫板径向的轴线与所述第二长形孔的纵向轴线重合,且多个所述扩孔沿所述第二长形孔的纵向轴线方向间隔设置;所述扩孔沿所述第二长形孔的短径方向的直径大于所述第二长形孔的短径。
5.根据权利要求2-4任意一项所述的反应腔室,其特征在于,所述第一长形孔的短径为3~6mm。
6.根据权利要求1-4任意一项所述的反应腔室,其特征在于,所述内衬组件还包括第一真空螺钉;
在所述环形部上,且位于所述第一筛孔的内侧设置有沿其周向间隔分布的多个第一固定孔;在所述环形垫板上设置有沿其周向间隔分布的多个第二固定孔,所述第二固定孔的数量与所述第一固定孔的数量相对应,且所述第二固定孔与所述第一固定孔一一对应地设置;
所述第一真空螺钉安装在所述第一固定孔和所述第二固定孔中,以将所述环形部和所述环形垫板固定在一起。
7.根据权利要求6所述的反应腔室,其特征在于,所述内衬组件还包括第一绝缘帽,所述第一绝缘帽覆盖所述第一真空螺钉暴露在所述腔体的内部环境中的部分。
8.根据权利要求1-4任意一项所述的反应腔室,其特征在于,所述内衬组件还包括接地部件,所述接地部件分别与所述环形部和所述下电极连接,用以使所述环形部通过所述下电极接地。
9.根据权利要求8所述的反应腔室,其特征在于,所述下电极包括下电极本体和接口盘,其中,
所述下电极本体通过所述腔体接地;
所述接口盘环绕设置在所述下电极本体的侧壁上;
所述接地部件设置在所述接口盘上,且分别与所述环形部和接口盘电连接。
10.根据权利要求9所述的反应腔室,其特征在于,所述内衬组件还包括第二真空螺钉;
在所述接地部件上设置有沿其周向间隔分布的多个第三固定孔;在所述接口盘上设置有沿其周向间隔分布的多个第四固定孔,所述第三固定孔的数量与所述第四固定孔的数量相对应,且所述第三固定孔与所述第四固定孔一一对应地设置;
所述第二真空螺钉安装在所述第三固定孔和所述第四固定孔中,以将所述接地部件和所述接口盘固定在一起。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





