[发明专利]用于对电子开关进行过电流保护的方法和装置

权利要求书

1.用于对电子开关（110）、尤其晶体管进行过电流保护的方法，

其中所述开关（110）的电参量由测量单元（120）确定，并且与阈值比较，

其中如果所述电参量达到所述阈值，那么由所述测量单元（120）产生信号，并且作为输入信号传送给信号处理模块（200），

其中全局时间管理模块被用作信号处理模块（200），所述全局时间管理模块具有路由单元（240）、输入模块（210）、多通道定序器模块（220）和输出模块（230），

其中所述输入模块（210）经由所述路由单元（240）与所述多通道定序器模块（220）以数据传输方式连接，并且其中所述多通道定序器模块（220）经由所述路由单元（240）与所述输出模块（230）以数据传输方式连接，其中所述路由单元（240）允许与所述路由单元（240）以数据传输方式连接的各个模块（210、220、230）相继地以确定的顺序传输数据，

其中所述输入信号由所述输入模块（210）接收，并且其中接着接收信息从所述输入模块（210）经由所述路由单元（240）转发（211）给所述多通道定序器模块（220），

其中由所述多通道定序器模块（220）根据所述接收信息产生输出信息，并且经由所述路由单元（240）转发（221）给所述输出模块（230），

其中所述输出模块（230）根据所述输出信息输出输出信号，由此所述开关（110）被操控，并且用于对所述开关（110）进行过电流保护的保护措施被执行。

2.按照权利要求1所述的方法，其中所述路由单元（240）允许与所述路由单元（240）以数据传输方式连接的所述各个模块（210、220、230）相继地按照循环方法传输数据。

3.按照权利要求1或2所述的方法，其中作为所述开关（110）的电参量，确定通过所述开关（110）的负载电流。

4.按照上述权利要求之一所述的方法，其中作为所述开关（110）的电参量，确定构造为MOSFET晶体管的开关的漏极和源极之间的电压降和/或构造为双极型晶体管的开关（110）的集电极和发射极之间的电压降。

5.按照上述权利要求之一所述的方法，其中所述输出模块（230）根据所述输出信号作为保护措施切断所述开关（110）。

6.用于对电子开关（110）、尤其晶体管进行过电流保护的装置，

具有测量单元（120）和信号处理模块（200），其中所述信号处理模块（200）与所述测量单元（120）和所述开关（110）连接，

其中所述信号处理模块（200）被构造为全局时间管理模块，所述全局时间管理模块具有路由单元（240）、输入模块（210）、多通道定序器模块（220）和输出模块（230），

其中所述输入模块（210）经由所述路由单元（240）与所述多通道定序器模块（220）以数据传输方式连接，并且其中所述多通道定序器模块（220）经由所述路由单元（240）与所述输出模块（230）以数据传输方式连接，

其中所述路由单元（240）被设立用于，允许与所述路由单元（240）以数据传输方式连接的各个模块（210、220、230）相继地以确定的顺序传输数据，和

其中所述装置被设立用于执行按照上述权利要求之一所述的方法。

7.按照权利要求6所述的装置，其中所述路由单元（240）被设立用于，允许与所述路由单元（240）以数据传输方式连接的各个模块（210、220、230）相继地按照循环方法传输数据。

8.按照权利要求6或7所述的装置，其中所述信号处理模块（200）和/或所述测量单元（120）集成到车辆的微控制器（100、100'）中。

9.按照权利要求6至8之一所述的装置，其中所述测量单元（120）被构造为比较器。

10.按照权利要求6至9之一所述的装置，其中所述开关（110）被构造为半导体开关或晶体管、尤其双极型晶体管或MOSFET晶体管。

11.计算机程序，所述计算机程序促使用于过电流保护的装置：当所述计算机程序在用于过电流保护的所述装置上被实施时，执行按照权利要求1至5之一所述的方法。

12.机器可读存储介质，所述机器可读存储介质具有存储于其上的按照权利要求11所述的计算机程序。