[发明专利]紫外LED芯片的制备方法

权利要求书

1.紫外LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）制备Si锭；

2）将Si锭切割成多个Si衬底；

3）将Si衬底抛光；

4）在Si衬底上制备GaN外延；

5）将Si衬底从GaN外延底面剥离；

6）在GaN外延顶面制备电极；

7）将GaN外延底面固定于基底上，制得紫外LED芯片；

按重量份计，所述基底由以下组分组成：

35～41份环氧改性有机硅树脂，

12～22份聚砜树脂，

2～3份白石墨，

1～2份磷酸二氢钙，

3～4份滑石粉，

6～8份过氧化二异丙苯，

7～9份卵磷脂，

1～4份碳纳米管，

5～8份聚甘油单硬脂酸酯，

2～4份钼酸钠，

1～3份三聚磷酸二氢铝，

2～4份四硼酸钾，

8～9份六偏磷酸钠，

4～6份烷基硫酸酯钠。

2.根据权利要求1所述的紫外LED芯片的制备方法，其特征在于，按重量份计，按重量份计，所述基底由以下组分组成：

35份环氧改性有机硅树脂，

12份聚砜树脂，

2份白石墨，

1份磷酸二氢钙，

3份滑石粉，

6份过氧化二异丙苯，

7份卵磷脂，

1份碳纳米管，

5份聚甘油单硬脂酸酯，

2份钼酸钠，

1份三聚磷酸二氢铝，

2份四硼酸钾，

8份六偏磷酸钠，

4份烷基硫酸酯钠。

3.根据权利要求1所述的紫外LED芯片的制备方法，其特征在于，按重量份计，按重量份计，所述基底由以下组分组成：

41份环氧改性有机硅树脂，

22份聚砜树脂，

3份白石墨，

2份磷酸二氢钙，

4份滑石粉，

8份过氧化二异丙苯，

9份卵磷脂，

4份碳纳米管，

8份聚甘油单硬脂酸酯，

4份钼酸钠，

3份三聚磷酸二氢铝，

4份四硼酸钾，

9份六偏磷酸钠，

6份烷基硫酸酯钠。