[发明专利]基板处理装置以及半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201710116659.7 | 申请日: | 2017-03-01 |
公开(公告)号: | CN107871653B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 吉野晃生;保井毅 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,
具有:
多个处理室,其对基板进行处理;
加热部,其分别设置于所述多个处理室,将所述基板加热至规定温度;
真空搬运室,其经由闸阀与所述多个处理室连接;
温度传感器,其在所述真空搬运室内、且在所述闸阀的前方对所述基板的温度进行测定;
搬运机械臂,其设置于所述真空搬运室,能够对多个所述基板进行搬运;
预真空锁室,其与所述真空搬运室连接;
支承部,其设置于所述预真空锁室内,对在所述处理室处理后的基板进行支承;
非活性气体供给部,其向所述预真空锁室供给非活性气体;
存储装置,其记录有与所述基板的温度对应的冷却配方;以及
控制部,其在所述处理室中将所述基板加热处理至规定温度之后,使所述基板从所述处理室搬运到所述预真空锁室,从所述存储装置读出与利用所述温度传感器测定到的温度对应的所述冷却配方,以使得基于所述冷却配方向所述基板供给所述非活性气体而对所述基板进行冷却的方式对所述非活性气体供给部进行控制。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述搬运机械臂具有两个臂,
所述控制部以在进行第1搬运和第2搬运的情况下使从所述存储装置读出的冷却配方的所述非活性气体的供给量不同来对所述基板进行冷却的方式,对所述搬运机械臂和所述非活性气体供给部进行控制,
所述第1搬运是在利用所述两个臂中的一个臂从所述处理室将处理完毕的基板搬出、且利用另一个臂将未处理的基板搬入之后,将搬出的所述基板搬运至所述预真空锁室,
所述第2搬运是在利用所述两个臂中的一个臂从所述处理室将处理完毕的基板搬出、且没有利用另一个臂将未处理的基板搬入而将所述处理完毕的基板搬运至所述预真空锁室。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部以使在进行所述第2搬运的情况下的所述非活性气体的供给量多于在进行所述第1搬运的情况下的所述非活性气体的供给量的方式对所述非活性气体供给部进行设定,并对所述搬运机械臂和所述非活性气体供给部进行控制。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
具有冷却部,该冷却部设置于所述预真空锁室内的与所述基板相对的位置,向所述冷却部的内部供给有制冷剂,
所述控制部以使得基于所述冷却配方来供给所述制冷剂的方式对所述冷却部进行控制。
5.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,
具有如下的工序:
在多个处理室各自中对多个基板进行加热处理的工序;
利用在经由闸阀与所述多个处理室连接的真空搬运室内设置的搬运机械臂将加热处理后的所述基板从所述处理室搬运至与所述真空搬运室连接的预真空锁室的工序;以及
从存储装置读出与在所述闸阀的前方由温度传感器测定到的所述基板的温度对应的冷却配方,并且在所述预真空锁室中,基于所述冷却配方向所述基板供给非活性气体而对所述基板进行冷却的工序。
6.一种记录介质,其特征在于,
记录有通过计算机使基板处理装置执行如下的步骤的程序:
在多个处理室各自中对多个基板进行加热处理的步骤;
利用在经由闸阀与所述多个处理室连接的真空搬运室内设置的搬运机械臂将加热处理后的所述基板从所述处理室搬运至与所述真空搬运室连接的预真空锁室的步骤;以及
从存储装置读出与在所述闸阀的前方由温度传感器测定到的所述基板的温度对应的冷却配方,并且在所述预真空锁室中,基于所述冷却配方向所述基板供给非活性气体而对所述基板进行冷却的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社国际电气,未经株式会社国际电气许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710116659.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:旋转液体可变电阻器、电机启动器
- 下一篇:半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造