[发明专利]热处理装置在审
| 申请号: | 201710116541.4 | 申请日: | 2017-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN107342244A | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
| 发明(设计)人: | 和田赖彦 | 申请(专利权)人: | 光洋热系统股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,黄纶伟 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 热处理 装置 | ||
1.一种热处理装置,其特征在于,
所述热处理装置具备:
容器,其在被处理物的热处理时收纳所述被处理物;
介质供给部,其包括用于将温度调整用的介质供给至所述容器的基准阀和副阀;以及
控制部,其以所述基准阀供给所述介质的供给形态为基准,控制所述副阀供给所述介质的供给形态。
2.根据权利要求1所述的热处理装置,其特征在于,
所述控制部以所述基准阀的开度固定的状态为基准,来控制所述副阀的开度。
3.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其特征在于,
所述控制部构成为:以所述容器中的被从所述基准阀供给所述介质的部位处的温度为基准,控制从所述副阀向所述容器供给的所述介质的流量。
4.根据权利要求3所述的热处理装置,其特征在于,
所述控制部控制所述副阀的开度,以使所述容器中的被从所述基准阀供给所述介质的部位处的温度和所述容器中的被从所述副阀供给所述介质的部位处的温度的偏差减小。
5.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其特征在于,
所述副阀设置有多个,
所述控制部控制各所述副阀,以使一个所述副阀和另一个所述副阀执行不同的动作。
6.根据权利要求5所述的热处理装置,其特征在于,
所述控制部构成为采用比例控制来控制各所述副阀,所述控制部将一个所述副阀的控制增益和另一个所述副阀的控制增益设定为不同的值。
7.根据权利要求6所述的热处理装置,其特征在于,
所述介质是用于冷却所述容器的冷却介质,
从一个所述副阀向所述容器供给所述冷却介质的位置被设定得比从另一个所述副阀向所述容器供给所述冷却介质的位置高,
所述控制部将针对一个所述副阀的所述控制增益设定得比针对另一个所述副阀的所述控制增益大。
8.根据权利要求6所述的热处理装置,其特征在于,
所述容器包括:向所述容器的外部敞开的开口部;和相对于所述容器的外部被封闭的形状的里部,
所述介质是用于冷却所述容器的冷却介质,
从一个所述副阀向所述容器供给所述冷却介质的位置被设定为靠所述开口部和所述里部中的所述里部,从另一个所述副阀向所述容器供给所述冷却介质的位置被设定为靠所述开口部和所述里部中的所述开口部,
所述控制部将针对一个所述副阀的所述控制增益设定得比针对另一个所述副阀的所述控制增益大。
9.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其特征在于,
所述副阀设置有多个,
来自所述基准阀的所述介质的出口位置被设定于来自各所述副阀的所述介质的出口位置之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光洋热系统股份有限公司,未经光洋热系统股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710116541.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





