[发明专利]一种金属基复合电子封装材料的粉末冶金制备方法

权利要求书

1.一种金属基复合电子封装材料的粉末冶金制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)利用等离子旋转电极雾化法分别制备Al-W-Si合金粉末和鳞片石墨粉末，将鳞片石墨粉末进行化学镀镍处理，之后使用去离子水和无水乙醇多次清洗后，干燥，制得表面处理的鳞片石墨粉末；

(2)将步骤(1)中制备的Al-W-Si合金粉末和步骤(2)中制备的鳞片石墨粉末放入行星式球磨机中，采用正反转式球磨，球磨速度为160-200转/min，球磨3-5h后，将两种粉末充分混合均匀；

(3)将混合粉末采用冷等静压处理压制成型，压力为200-300Mpa，保压时间为8-15min，制得压坯，将压坯置于石墨模具中，安放在等离子体烧结炉中，关闭炉门后，抽真空，通入惰性气体加压，加压完成后，开始升温烧结，烧结完成后放出压力，取出脱模，即为所述金属基复合电子封装材料。

2.根据权利要求1所述的金属基复合电子封装材料的粉末冶金制备方法，其特征在于：所述Al-W-Si合金中，Al质量份数为55-60％，W质量份数为15-24％，余量为Si。

3.根据权利要求1所述的金属基复合电子封装材料的粉末冶金制备方法，其特征在于：所述化学镀镍过程使用的镀镍溶液为硫酸镍30-50g/L，次磷酸钠15-28g/L，乳酸40-50g/L，柠檬酸钠20-55g/L，丁二酸18-32g/L，十二烷基二甲基甜菜碱1-2g/L。

4.根据权利要求1所述的金属基复合电子封装材料的粉末冶金制备方法，其特征在于：所述鳞片石墨粉末表面镀镍层厚度为2-7μm。

5.根据权利要求1所述的金属基复合电子封装材料的粉末冶金制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中干燥过程采用真空干燥箱干燥，温度为110℃。

6.根据权利要求1所述的金属基复合电子封装材料的粉末冶金制备方法，其特征在于：所述烧结过程中的压力为60-80Mpa。

7.根据权利要求1所述的金属基复合电子封装材料的粉末冶金制备方法，其特征在于：所述升温烧结过程中：在600℃以下，升温速率为20℃/min，超过600℃后升温速率为65℃/min，升至1400℃后，保持温度10min，之后按照30℃/min的速率降低温度至常温。

8.一种金属基复合电子封装材料，其特征在于：由权利要求1-7任一项所述的方法制备而成。