[发明专利]一种微通道半导体激光器芯片结构及其制作方法

权利要求书

1.一种微通道激光器芯片结构的制作方法，所述微通道激光器芯片结构，包括外延片，外延片包括自下至上依次设置的衬底、N限制层、量子阱有源区、AlGaInP层和GaAs层，其特征是：在AlGaInP层和GaAs层上腐蚀出条形发光区，量子阱有源区及条形发光区上设置有SiO₂层，SiO₂层上设置有P面金属，P面金属与条形发光区的侧面之间设置有微通道；其特征是：包括如下步骤：

(1)在激光器外延片的表面光刻出条形发光区，条形发光区的宽度为2-10μm；

(2)腐蚀表面GaAs,然后腐蚀AlGaInP；

(3)控制腐蚀时间，使AlGaInP的腐蚀宽度W2小于GaAs宽度W1，形成帽檐；

(4)在激光器外延片上进行SiO₂层和P面金属的蒸镀；

(5)蒸镀P面金属后，将外延片放到氢氟酸腐蚀液里腐蚀2-3分钟，使氢氟酸通过帽檐的缝隙渗透到条形发光区的两侧，并将SiO₂层腐蚀掉；

(6)再将外延片放到盐酸与水质量比20:1的稀盐酸腐蚀液里 ，腐蚀40-60秒，使稀盐酸通过帽檐的缝隙渗透到条形发光区的两侧，并将AlGaInP腐蚀掉，形成左右两个微通道。

2.根据权利要求1所述微通道激光器芯片结构的制作方法，其特征是：所述步骤(1)中条形发光区上设置有保护光刻胶。

3.根据权利要求1所述微通道激光器芯片结构的制作方法，其特征是：所述步骤(3)中AlGaInP的腐蚀宽度W2比GaAs宽度W1小0.2-0.5μm。