[发明专利]基于透明基板的背面加工工艺和器件加工工艺

说明书

本发明公开了一种基于透明基板的背面加工工艺和器件加工工艺，该背面加工工艺包括：提供透明基板；在透明基板的背面沉积透光介质层；在所述透光介质层上形成三维标记结构；在所述三维标记结构中沉积反光介质层，形成反光的三维标记。本发明通过背面加工工艺，在透明基板背面形成临时反光的三维标记，使衍射光栅型的对准方法可以运用于平板的光刻工艺中，从而提高平板产品的位置(套刻)精度。

技术领域

本发明涉及背面加工工艺，特别涉及一种基于透明基板的背面加工工艺和器件加工工艺。

背景技术

平板显示行业近年来发展迅速，制造及技术中心转移至中国，技术格局进入群雄争霸的时代，新技术的推出及发展大大加快。

从终端产品看，4K/8K高清晰度显示技术、柔性显示技术、VR/AR虚拟场景技术等成为近年来的新宠儿，整体处于技术爆发期，概念和初期的新产品不断推出；从TFT(薄膜晶体管)层面看，LTPS(低温多晶硅技术)和氧化物技术逐渐成熟，将逐渐替代非晶硅；从光源层面看，OLED(有机发光二级管)显示技术已经成为近年来的明星技术，相比LCD显示技术，OLED技术在支持柔性显示及VR/AR显示等可穿戴设备上具有绝对优势。

从整个发展趋势而言，VR/AR虚拟场景等显示技术将引领行业发展，显示器与人体肉眼的距离更近，直接突破了原先在手机屏幕上只需要300PPI达到人体肉眼分辨率极限的理论，因此，从这些显示产品的工艺实现角度将提出更高的线宽及位置(套刻)精度要求，而这些性能都将成为光刻工序的重要关键指标。

对于高位置(套刻)精度的产品，其配套的光刻生产设备必须具备高精度的测量能力，采用先进的对准测量技术，就目前的平板光刻制造设备而言，其对准系统一般为光度型(如CCD对准)，通过测量光强变化来评估识别标记偏差，标记在宏观下可识别即可，精度较低，而对于高精度对准往往需要采用光栅衍射技术，通过测量相位变化来评估标记位置偏差，其对准标记为3D光栅结构，测量精度较高。

如图1a所示，平板工艺中的基底通常为透明基板1，在工艺制作中加工光度型测量标记较容易，只需在介质层2上制作相应图形即可，宏观下可直接识别，满足光度型对准需求。但是对于光栅型标记，整个标记必须将入射信号全部反射回测量系统才能进行信号还原和对准，如果按光度型测量标记加工，那么一半的光线将透过透明基板1，无法被测量系统准确回收，导致对准失败。

如图1b所示，现有技术中提出在透明基板1中设置对准标记3的方式来进行对准，即，将对准标记3制作于透明基板1的正面各工艺层4中，并在后续工艺中，利用背面对准技术对透明基板1进行对准，但由于对准标记3容易受正面工艺层4工艺的影响，容易造成对准标记3损伤。同时，由于对准标记3的存在，导致一些光线被对准标记3影响，无法完全穿透透明基板1，导致透明基板1不满足工艺需求。

发明内容

本发明提供一种基于透明基板的背面加工工艺和器件加工工艺，以解决现有技术中透明基板上的测量标记对准精度低的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种基于透明基板的背面加工工艺，包括：提供透明基板；在透明基板的背面沉积透光介质层；对所述透光介质层上形成三维标记结构；在所述三维标记结构中沉积反光介质层，形成反光的三维标记。

作为优选，所述三维标记的标记图形朝向所述透明基板的正面方向。

作为优选，在所述透光介质层上形成三维标记结构具体采用光刻刻蚀方法。

作为优选，在所述透光介质层上形成所述三维标记结构具体包括沿所述透明基板正面方向依次形成标记区定义层和至少一层标记图形层，所述标记图形层的标记图形朝向所述透明基板的正面方向。

作为优选，所述三维标记结构为凹凸结构。

作为优选，所述凹凸结构呈周期分布，所述周期优选为2-20μm。