[发明专利]用于标准单元的中段制程带

说明书

本发明实施例公开了一种半导体结构，该半导体结构包含有源区、第一导电线、导电通孔、通过导电通孔与导电线连接的第一导电金属段、设置在有源区的上方的第二导电金属段以及被配置为连接第一导电金属段和第二导电金属段的局部导电段。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法，更具体地涉及用于标准单元的中段制程带。

技术领域

本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法，更具体地涉及用于标准单元的中段制程带。

背景技术

例如，集成电路(IC)的半导体工艺包含前段制程(FEOL)、中段制程(MEOL)和后段制程(BEOL)。通常在所述前段制程期间，半导体结构在半导体晶圆上形成。然后所述半导体结构在MEOL工艺期间局部互连，形成所述集成电路。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供了一种半导体结构，包括：第一有源区；第一导电线；第一导电通孔；第二导电通孔；第一导电金属段，通过所述第一导电通孔连接至所述第一导电线；第二导电金属段，设置在所述第一有源区上方并且通过所述第二导电通孔连接至所述第一导电线；以及第一局部导电段，配置为连接所述第一导电金属段和所述第二导电金属段。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种半导体结构，包括：有源区；第一导电线；导电通孔；第一导电金属段，通过所述导电通孔连接至所述第一导电线；第二导电金属段，设置在所述有源区上方；以及局部导电段，配置为连接所述第一导电金属段和所述第二导电金属段。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种制造半导体结构的方法，包括：设置第一导电金属段；在有源区上方设置第二导电金属段；设置局部导电段以连接所述第一导电金属段和所述第二导电金属段；在所述第一导电金属段上设置第一导电通孔；以及设置第一导电线，所述第一导电线通过所述第一导电通孔连接至所述第一导电金属段。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1为根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性布局顶视图；

图2为根据本发明的一些实施例的沿着图1中的线2-2截取的截面图；

图3为根据本发明的一些实施例的沿着图1中的线3-3截取的截面图；

图4为根据本发明的一些实施例的图1中半导体结构的一部分的透视图；

图5为根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性布局顶视图；

图6为根据本发明的一些实施例的图5中的半导体结构的一部分的透视图；

图7为根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性布局顶视图；

图8为根据本发明的一些实施例的沿着图7中的线8-8截取的截面图；

图9为根据本发明的一些实施例的沿着图7中的线9-9截取的截面图

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实例。此外，本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。