[发明专利]一种像素排布结构有效
申请号: | 201710113892.X | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN108510891B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 刘将 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | G09F9/302 | 分类号: | G09F9/302;H01L27/32 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 张建纲 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 排布 结构 | ||
本发明提供的一种像素排布结构,包括多个重复排列的像素单元,每个像素单元包括依次设置的第一像素、两个相互靠近的第二像素、第三像素,两个所述第二像素之间的距离小于所述第二像素与其余像素之间的距离,其中所述第一像素、第二像素、第三像素为互不相同的像素。该方案中,两个第二像素之间可以更加靠近,也能够满足生产及加工的需要,与传统方式相比,子像素和像素电路单元数目减少1/3,可以提高像素分辨率,同时保证了OLED的设计余量,增大R/G/B子像素的开口率,克服了现有技术中无法提高分辨率的同时保证像素开口率的问题,提高了显示效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种像素排布结构。
背景技术
三原色显示技术是现有彩色图像显示技术的基础,采用三原色叠加色彩模型,通过红(R)、绿(G)、蓝(B)三种颜色以不同的方式进行叠加来获得一个广泛的色彩范围。RGB三原色显示技术已经应用于多种显示装置中。
目前高PPI(Pixels Per Inch,像素密度)显示已成为显示技术发展的方向,对于AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode,有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)发光显示来说,高密度的像素排布,提高了阵列和蒸镀工艺难度,同样工艺极限也限制了PPI进一步提高,将相邻相同子像素进行合并蒸镀虽可以减小蒸镀工艺难度,但阵列工艺方面的限制却不能在相同道工艺下有效解决,另合并较多子像素也会带来显示方面的视觉不良。
为了解决上述问题,现有技术中已经公开了通过横向相邻两个像素共用R或B子像素的方式,来提高显示屏像素,其像素电路单元的数目减少了1/3,很大程度上减小了阵列设计和工艺难度。但是像素共用使得像素之间的距离较小,导致像素间的开口率较小,影响显示效果。如何提高显示屏的像素、保证像素间的开口率成为亟待解决的问题。
发明内容
因此,本发明要解决的技术问题在于现有技术中无法同时提高像素分辨率和开口率的缺陷。
本发明提供一种像素排布结构,包括多个重复排列的像素单元,每个像素单元包括依次设置的第一像素、两个相互靠近的第二像素、第三像素,两个所述第二像素之间的距离小于所述第二像素与其余像素之间的距离,其中所述第一像素、第二像素、第三像素为互不相同的像素。
优选地,同行中相邻的所述第一像素和所述第三像素之间的间隙对应相邻行中像素单元的两个相互靠近的所述第二像素。
优选地,同行中相邻的所述第一像素和所述第三像素之间的间隙大于其对应的相邻行中两个所述第二像素的宽度及其间隙之和。
优选地,同行中所述第一像素与其相邻的所述第二像素之间的间隙对应相邻行中像素单元的第三像素。
优选地,同行中所述第一像素与其相邻的所述第二像素之间的间隙大于其对应的相邻行中的第三像素的宽度。
优选地,所述像素单元中相互靠近的两个所述第二像素之间的距离为5μm~10μm。
优选地,所述像素单元中所述第一像素与其相邻的所述第二像素之间的距离为10μm~30μm。
优选地,所述像素单元中所述第三像素与其相邻的第二像素之间的距离为10μm~30μm。
优选地,所述像素单元中相互靠近的两个第二像素的宽度之和等于所述第一像素或第三像素的宽度。
优选地,所述第一像素为红色子像素,所述第二像素为绿色子像素,所述第三像素为蓝色子像素。
本发明技术方案,具有如下优点:
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