[发明专利]一种热电制冷片及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710112814.8 申请日: 2017-02-28
公开(公告)号: CN108511590B 公开(公告)日: 2019-08-16
发明(设计)人: 覃瑞昌 申请(专利权)人: 杭州熵能热导科技有限公司
主分类号: H01L35/32 分类号: H01L35/32;H01L35/34
代理公司: 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 代理人: 乔占雄
地址: 311100 浙江省杭州市余*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 热电制冷片 热电材料 镀覆 通孔 热电偶 半导体器件领域 传热 传热效率 导电材料 基板表面 绝热基板 热电制冷 制作工艺 导电 基板 冷端 绝缘 半导体 制造 联结 瓶颈 传递 矛盾
【权利要求书】:

1.一种热电制冷片,其特征在于:包括至少一对通过导电材料连接的热电偶对,所述热电偶对的P型/N型半导体分别由镀覆于开有通孔的绝缘绝热基板上的P型/N型半导体热电材料构成,其中镀覆于基板上的P型/N型半导体热电材料包括镀覆于通孔內缘的部分及位于基板表面上且与镀覆于通孔內缘的部分相连的部分。

2.如权利要求1所述的热电制冷片,其特征在于:所述绝缘绝热基板上的通孔开设为多个,其中一部分通孔对应于P型半导体,另外一部分通孔对应于N型半导体,两种半导体通过导电材料并联或串联连接构成导电回路。

3.如权利要求2所述的热电制冷片,其特征在于:所述导电材料为镀覆于绝缘导热基板上的具有一定厚度和分布规律的金属膜,所述金属膜的形状和位置对应于所述绝缘绝热基板上的P型/N型半导体的位置,使得所述的镀覆有半导体热电材料的开孔绝缘绝热基板夹设于两片镀有所述金属膜的绝缘导热基板中间时,该绝缘绝热基板上的P型/N型半导体构成并联或串联的回路。

4.如权利要求3所述的热电制冷片,其特征在于:镀覆于绝缘绝热基板上的P型/N型半导体热电材料位于基板表面的部分上还镀有隔断材料,并通过焊锡与绝缘导热基板上的金属膜固定焊接;

或者,镀覆于绝缘绝热基板上的P型/N型半导体热电材料位于基板表面的部分直接通过导电银胶与金属膜粘接。

5.如权利要求1所述的热电制冷片,其特征在于:所述绝缘绝热基板的材料包括但不限于PEEK塑料,真空玻璃微珠改性塑料或绝热陶瓷。

6.如权利要求5所述的热电制冷片,其特征在于:所述P型/N型半导体热电材料包括但不限于碲化铋,硅或硅锗合金。

7.如权利要求6所述的热电制冷片,其特征在于:镀覆于所述绝缘绝热基板上的P型/N型半导体热电材料与基板之间还镀有一层导电金属材料,所述导电金属材料镀覆的区域与P型/N型半导体热电材料镀覆的区域相同。

8.如权利要求1-7任一项所述的热电制冷片,其特征在于:镀覆于绝缘绝热基板上的P型/N型半导体热电材料包括镀覆于通孔內缘的部分及位于基板表面上且与镀覆于通孔內缘的部分相连的部分,且位于基板表面上的部分的P型/N型半导体热电材料交替镀覆为多层。

9.如权利要求1-8任一项所述的热电制冷片的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1、在绝缘绝热基板上打孔并进行预处理;

S2、在预处理后的基板的两侧设置第一种掩膜版,镀覆P型/N型半导体热电材料,之后在基板的两侧设置第二种掩膜版,并镀覆N型/P型半导体热电材料;其中,第一种掩膜版和第二种掩膜版二上的开孔区域对应于基板上的通孔,且两者的开孔区域互不重合;

S3、在与所述绝缘绝热基板匹配的上绝缘导热基板和下绝缘导热基板上分别安装掩膜版后依次镀覆导电材料和焊锡,其中,此处掩膜版上的开孔区域与第一种掩膜版和第二种掩膜版上的开孔区域相匹配,使得绝缘绝热基板上镀覆的N型/P型半导体热电材料能够被上绝缘导热基板和下绝缘导热基板上镀覆的导电材料连接成串联或并联的回路;

S4、将镀好热电材料的绝缘绝热基板和镀好导电材料的上下绝缘导热基板及电源线用夹具固定并进行高温焊接,之后用绝缘胶封装,烘干得到成品。

10.如权利要求1-8任一项所述的热电制冷片的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1、在绝缘绝热基板上打孔并进行预处理;

S2、在预处理后的绝缘绝热基板上镀覆半导体热电材料,其中,每块基板上镀覆单一的N型或P型半导体热电材料,之后继续镀隔断材料、镀锡;

S3、将镀好N型或P型半导体热电材料的基板分别裁切成条状;

S4、在上绝缘导热基板和下绝缘导热基板上设置掩膜版并镀覆导电材料,形成设计好的电路;

S5、将裁切后的镀覆有N型或P型半导体热电材料的绝缘绝热基板交替排列,和镀好电路的上下绝缘导热基板及电源线用模具固定,高温焊接,之后用绝缘胶封装,烘干得到成品。

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