[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法在审
| 申请号： | 201710111813.1 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN106972085A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 武艳萍 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括：衬底，依次层叠设置在所述衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，其特征在于，
所述多量子阱层包括交叠生长的多个量子阱层和多个量子垒层，所述多个量子垒层均为AlxGa1-xN层、InyAlxGaN层、或者AlxGa1-xN层和InyAlxGaN层构成的超晶格结构，所述多个量子垒层中最靠近所述P型氮化镓层的三个量子垒层中的至少一个为P型掺杂的量子垒层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述多个量子垒层中最靠近所述P型氮化镓层的三个量子垒层为所述多个量子垒层中厚度最小的三个量子垒层。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，0＜x＜0.5。
4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述多个量子垒层中的x的取值沿着所述发光二极管外延片的生长方向逐渐降低。
5.根据权利要求4所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述多个量子垒层中最靠近所述N型氮化镓层的量子垒层的x的取值为：0.2＜x＜0.5。
6.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生成缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，所述多量子阱层包括交叠生长的多个量子阱层和多个量子垒层，所述多个量子垒层均为AlxGa1-xN层、InyAlxGaN层、或者AlxGa1-xN层和InyAlxGaN层构成的超晶格结构，所述多个量子垒层中最靠近所述P型氮化镓层的三个量子垒层中的至少一个为P型掺杂的量子垒层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述多个量子垒层中最靠近所述P型氮化镓层的三个量子垒层为所述多个量子垒层中厚度最小的三个量子垒层。
8.根据权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，0＜x＜0.5。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述多个量子垒层中的x的取值沿着所述发光二极管外延片的生长方向逐渐降低。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述多个量子垒层中最靠近所述N型氮化镓层的量子垒层的x的取值为：0.2＜x＜0.5。
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