[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置在审
申请号: | 201710111183.8 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN106876330A | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 金慧俊;张敏 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司11444 | 代理人: | 王刚,龚敏 |
地址: | 201108 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
【技术领域】
本发明涉及触控技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
【背景技术】
随着触控技术领域的发展,具有触控功能的显示面板已经越来越成为主流显示产品。现有的显示面板和触控面板的集成方式一般分为in-cell(内嵌式)和on-cell(盒外式)两种方式,in-cell触摸屏相较于on-cell触摸屏来说更为轻薄。目前,现有技术的in-cell触摸屏的阵列基板至少包括栅极金属层、半导体层、源漏极金属层、第一氮化硅层、像素电极、触控金属层、第二氮化硅层和公共电极。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:
现有技术中阵列基板的制备过程中,在形成上述栅极金属层、半导体层、源漏极金属层、第一绝缘层、像素电极、触控金属层、第二绝缘层和公共电极时,每层均需要使用单独的掩膜版通过相应的构图工艺来制作,工艺流程较为复杂,需要使用数量较多的掩膜版,生产成本高。
【发明内容】
有鉴于此,本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置,能够减少掩膜版的使用数量,简化阵列基板的制作过程。
一方面,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的第一金属层,所述第一金属层包括栅极和栅线;
位于所述第一金属层上的有源层;
位于所述栅极和栅线所在膜层上的像素电极;
位于所述有源层和所述像素电极上的第二金属层,所述第二金属层包括漏极、源极和数据线,其中,所述漏极与所述像素电极电性连接;
位于所述第二金属层上的公共电极层,所述公共电极层包括多个以阵列方式设置的公共电极块,所述公共电极块复用为触控电极;所述阵列基板还包括:
触控走线,位于所述第二金属层;所述触控走线与所述漏极、源极、数据线和像素电极电性绝缘,且通过过孔与所述公共电极层的公共电极块电性连接。
具体地,所述阵列基板还包括:
第一绝缘层,位于所述第一金属层和所述有源层之间。
具体地,所述阵列基板还包括:
第二绝缘层,位于所述公共电极层和所述第二金属层之间;所述第二绝缘层上设有过孔。
具体地,所述漏极与所述像素电极直接电性连接。
具体地,所述触控走线与所述数据线相邻设置,且所述触控走线与所述数据线平行。
另一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括:上述的阵列基板。
另一方面,本发明实施例提供了一种显示装置,包括:上述的显示面板。
另一方面,本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法,包括:
在衬底基板形成第一金属层,所述第一金属层包括栅极和栅线;
在所述第一金属层上形成有源层;
在所述栅极和栅线所在膜层上形成像素电极;,
在所述有源层和所述像素电极上形成第二金属层和触控走线,其中,所述第二金属层以及包括所述漏极、源极和数据线所在的第二金属层,其中,所述漏极与所述像素电极电性连接;
形成覆盖第二金属层的第二绝缘层,在所述第二绝缘层上形成过孔;在所述第二金属层上形成公共电极层,其中,所述公共电极层包括多个以阵列方式设置的公共电极块,所述公共电极块复用为触控电极,所述公共电极块通过所述过孔与所述触控走线电性连接。
具体地,所述方法还包括:
在所述第一金属层和所述有源层之间形成第一绝缘层。
具体地,所述方法还包括:
在所述公共电极层和所述第二金属层之间形成第二绝缘层,并在所述第二绝缘层上形成过孔。
具体地,所述漏极与所述像素电极直接电性连接。
具体地,所述触控走线与所述数据线相邻设置,且所述触控走线与所述数据线平行。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果:
本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置,通过将漏极、源极、数据线和触控走线同层设置,避免单独设置触控走线所在膜层,故无需使用单独的掩膜版并通过相应的构图工艺来制作触控走线层,能够简化阵列基板的制作过程,降低工艺流程复杂程度,减少掩膜版使用数量,生产成本低。
【附图说明】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造