[发明专利]一种单斜系三氧化钨的制备方法有效
申请号: | 201710109750.6 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN106830087B | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 王桂赟;杨欢;宋立佳;王延吉;赵新强 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | C01G41/02 | 分类号: | C01G41/02;B01J23/30;C01B3/04 |
代理公司: | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人: | 赵凤英 |
地址: | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三氧化钨 单斜 黄色沉淀 晶体颗粒 硝酸 制备 聚乙二醇溶液 三氧化钨粉末 光催化性能 钨酸钠溶液 有机酸溶液 分散均匀 连续反应 去离子水 微纳米级 反应器 高压釜 密闭 浆料 转入 | ||
本发明为一种单斜系三氧化钨的制备方法。该方法包括以下步骤:(1)搅拌下,将硝酸加入到钨酸钠溶液中,搅拌后离心分离,收集得到黄色沉淀;(2)将黄色沉淀转入到反应器中,加入去离子水、有机酸溶液和聚乙二醇溶液;(3)再加入硝酸搅拌0.5‑2小时;(4)将所得浆料转移至高压釜中,密闭后升温至160‑250℃连续反应8‑20h;得单斜系三氧化钨粉末。本发明得到了分散均匀的微纳米级三氧化钨晶体颗粒。所得三氧化钨晶体颗粒具有优异的光催化性能。
技术领域:
本发明属于三氧化钨制备技术领域,具体为一种单斜系三氧化钨的制备方法。
技术背景:
三氧化钨为一种具有N型导电特征的半导体氧化物,因较适宜的禁带宽度和较正的价带电位,在光催化分解水过程中显示出良好的性能。作为光催化分解水用催化剂,三氧化钨的晶相组成、粒度及分散性对其性能有重要影响。大量实验结果显示,单斜系三氧化钨较其它晶相的三氧化钨具有更加优良的光催化性能。而三氧化钨的粒度减小、结晶完整性提高都有利于其光催化剂活性的提高。同时,由于三氧化钨的禁带宽度较窄,单独使用时,在没有牺牲剂存在的情况下不能达到分解水的目的,将其与P型半导体氧化物,如CuCrO2复合后即可光催化分解纯水产生氢气,降低三氧化钨的粒度,改善其分散性也有利于其与P型半导体氧化物的复合。文献中,很多情况下,制得的三氧化钨前驱体需经600℃以上高温处理来达到转换晶型和提高样品结晶完整性的目的,但高温处理会改变晶体的形貌,并使得晶体颗粒的粒度增大,分散性变差。探索一种在较低温度下直接合成结晶完整性较好,粒度细小且分散均匀的单斜系三氧化钨意义重大。
发明内容:
本发明的目的是针对当前技术中存在的不足,提供一种单斜系三氧化钨的制备方法。该方法以钨酸钠为原料,有机酸为晶体生长控制剂,硝酸为酸化剂水热法制备WO3,通过加入聚乙二醇使产品在溶液中均匀分散,在低于250℃的情况下便直接制得单斜系WO3。本发明得到单斜系三氧化钨为微纳米级,粒度细小,分散均匀。
本发明的技术方案为:
一种单斜系三氧化钨的制备方法,包括以下步骤:
(1)搅拌下,将硝酸加入到钨酸钠溶液中,搅拌0.5-2小时,离心分离,收集得到黄色沉淀;
其中,钨酸钠溶液的质量浓度为5%-20%,摩尔比NHO3:钨原子=2~4:1;
(2)将步骤(1)中制得的黄色沉淀转入到反应器中,加入去离子水,搅拌成浆状;再在搅拌下向浆状物中加入有机酸溶液,得混合浆料;
其中,摩尔比有机酸:钨原子=1~4:1;质量比去离子水:沉淀=5~10:1,有机酸溶液的质量浓度为15-20%;
(3)将质量浓度为15-20%的聚乙二醇溶液加入到(2)所得混合浆料中;
其中,质量比聚乙二醇:钨原子=0.1~1:1;
(4)再将硝酸加入到(3)所得混合浆料中,继续搅拌0.5-2小时;其中,摩尔比NHO3:钨原子=4~10:1;
(5)将(4)所得浆料转移至高压釜中,密闭后升温至160-250℃连续反应8-20h;反应结束后,将釜中物料进行离心分离,经洗涤、烘干、研磨后,得单斜系三氧化钨粉末。
所述的聚乙二醇为聚乙二醇2000、聚乙二醇4000、聚乙二醇6000、聚乙二醇8000或聚乙二醇10000。
所述的有机酸为柠檬酸、左旋酒石酸、DL-苹果酸、琥珀酸或草酸。
所述的步骤(1)和步骤(3)中的硝酸的质量百分浓度优选为63%。
本发明的有益效果为:
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