[发明专利]高分子薄膜极化方法、极化膜及电子器件

权利要求书

1.一种高分子薄膜极化方法，其特征在于：包括：提供待极化高分子薄膜，其包括相对的第一表面和第二表面，使该薄膜第一表面电势为零，在所述待极化高分子薄膜第二表面的上方提供第一电场以及第二电场，所述第一电场电势高于所述第二电场的电势，在所述第一电场的作用下电离待极化高分子薄膜上方的环境气体，该环境气体穿过所述第二电场而聚集在所述高分子薄膜第二表面，使所述高分子薄膜内形成沿所述薄膜厚度方向的膜内电场，监测所述高分子薄膜的薄膜电流，以及利用监测的薄膜电流获得薄膜电流与极化时间之间的斜率，确定极化终点，以对所述高分子薄膜进行极化。

2.如权利要求1中所述高分子薄膜极化方法，其特征在于：根据所需要的极化程度确定极化终点。

3.如权利要求1中所述高分子薄膜极化方法，其特征在于：所述高分子薄膜为铁电聚合物薄膜，所述薄膜电流在极化过程中表现出巴克豪森噪声的振荡行为特性，通过监测巴克豪森噪声对薄膜电流的影响，从而确定极化终点。

4.如权利要求3中所述高分子薄膜极化方法，其特征在于：当所述斜率出现振荡后，且变化量小于1-5％时，即可确定为极化终点。

5.如权利要求1中所述高分子薄膜极化方法，其特征在于：在极化过程中控制所述高分子薄膜、第一电场和第二电场三者之间进行相对运动。

6.如权利要求1中所述高分子薄膜极化方法，其特征在于：在高分子薄膜进行极化时，对高分子薄膜进行加热。

7.如权利要求6中所述高分子薄膜极化方法，其特征在于：对高分子薄膜的加热温度低于所述高分子薄膜的居里温度。

8.如权利要求7中所述高分子薄膜极化方法，其特征在于：加热的温度为60-100℃。

9.一种极化膜，其特征在于：采用如权利要求1-8中任一项所述高分子薄膜极化方法制备得到。

10.如权利要求9中所述极化膜，其特征在于：所述极化膜为铁电聚合物薄膜。

11.如权利要求10中所述极化膜，其特征在于：β相所占含量为60-70％。

12.如权利要求9中所述极化膜，其特征在于：所述极化膜的介电常数为25-29p C/N。

13.如权利要求9中所述极化膜，其特征在于：所述极化膜厚度小于30um。

14.如权利要求9中所述极化膜，其特征在于：所述极化膜厚度小于9um。

15.一种电子器件，其特征在于：包括基底以及如权利要求9中所述的极化膜。