[发明专利]能够分散应力的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

半导体基底，包括设置在半导体基底中的电路层；

焊盘，设置在半导体基底上，焊盘电连接到电路层；以及

金属层，电连接到焊盘，

其中，金属层包括：第一通路，电连接到焊盘，第一通路在金属层与电路层之间提供电路径；以及第二通路，朝向半导体基底突出，第二通路在半导体基底上支撑金属层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

绝缘层，设置在半导体基底上，绝缘层覆盖焊盘；以及

保护层，设置在绝缘层上，

其中，金属层设置在保护层上，

其中，第一通路朝向焊盘延伸并且接触焊盘，

其中，第二通路设置在绝缘层上。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第一通路穿透保护层和绝缘层以与焊盘接触，第二通路穿透保护层以与绝缘层接触。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第一通路穿透保护层和绝缘层以与焊盘接触，第二通路部分地穿透保护层，第二通路不与绝缘层接触。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二通路包括与第一通路分隔开的一个或更多个金属柱。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述一个或更多个金属柱在平面图中在第一通路的周围以圆形布置。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述一个或更多个金属柱与第一通路等距地分隔开。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述一个或更多个金属柱彼此等距地分隔开并且以圆形设置。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二通路包括在第一通路周围的至少一个环形通路。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二通路包括彼此分隔开的多个弧形通路，所述多个弧形通路围绕第一通路。

11.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

半导体芯片，安装在封装基底上；以及

互连端子，设置在封装基底与半导体芯片之间，互连端子将半导体芯片电连接到封装基底，

其中，半导体芯片包括：半导体基底，包括位于半导体基底中的电路层；焊盘，设置在半导体基底上，焊盘电连接到电路层；以及第一金属层，电连接到焊盘，

其中，第一金属层包括：信号通路，连接到焊盘，并且在焊盘与互连端子之间形成电路径；以及虚设通路，从第一金属层朝向半导体基底突出，虚设通路支撑第一金属层。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，信号通路和虚设通路在平面图中具有圆形形状。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，虚设通路包括在信号通路的周围圆形地布置的一个或更多个金属柱，所述一个或更多个金属柱彼此等距地分隔开。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述一个或更多个金属柱中的至少一个金属柱与信号通路分开等于或大于信号通路的直径的距离。

15.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，信号通路在平面图中具有圆形形状，

虚设通路包括一个或更多个虚设通路，所述一个或更多个虚设通路在平面图中具有围绕信号通路的环形形状或弧形形状。

16.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

封装基底；

半导体芯片；以及

互连端子，设置在封装基底与半导体芯片之间，

其中，半导体芯片包括：半导体基底；焊盘，设置在半导体基底上；以及金属层，设置在焊盘上，其中，金属层电连接到焊盘并且电连接到互连端子，

其中，互连端子、焊盘和金属层将封装基底电连接到半导体芯片，

其中，金属层包括第一突起和第二突起，

其中，第一突起电连接到焊盘。

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，第一突起穿过设置在焊盘与金属层之间的至少一个保护层。