[发明专利]集成电路芯片的电容器结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201710107656.7 申请日: 2017-02-27
公开(公告)号: CN107275313A 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 吕南畿;蒋振劼;郑志成 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 芯片 电容器 结构 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明的实施例涉及半导体领域,并且更具体地,涉及集成电路芯片的电容器结构及其制造方法。

背景技术

根据实际的设计要求,集成电路芯片包括多个有源部件和互连的无源部件。为了集成和互连多个部件,集成电路芯片通常具有多个金属布线层。当在制造期间发生凸起问题时,各金属布线层的外形是不均匀的,这通常降低了产率。在实例中,位于凸起位置的接触通孔未能延伸到预定深度从而产生开路或不需要的短路。

发明内容

根据本发明的实施例,提供了一种集成电路芯片的电容器结构,包括:绝缘层,包括绝缘隔板并具有第一沟槽和通过绝缘隔板与第一沟槽分离的第二沟槽;第一电极,设置在第一沟槽中;第二电极,设置在第二沟槽中,其中,第一电极沿螺旋轨迹布置并环绕螺旋沟道,并且第二电极设置在螺旋沟道内。

根据本发明的实施例,提供了一种集成电路芯片的电容器结构,包括:绝缘层,包括绝缘隔板并具有第一沟槽和通过绝缘隔板与第一沟槽分离的第二沟槽;第一电极,设置在第一沟槽内;第二电极,设置在第二沟槽内;以及覆盖绝缘层,覆盖绝缘层、第一电极和第二电极,其中,绝缘层的介电常数大于覆盖绝缘层的介电常数。

根据本发明的实施例,提供了一种制造集成电路芯片的电容器结构的方法,包括:图案化绝缘层以形成第一沟槽和与第一沟槽分离的第二沟槽,其中,第一沟槽和第二沟槽从绝缘层的顶部表面向下延伸;以及将导电材料填充到第一沟槽和第二沟槽中以分别形成第一电极和第二电极。

附图说明

当结合附图进行阅读时,通过以下详细描述可以更好地理解本发明的各个方面。应该注意,根据工业的标准实践,各个部件没有按比例绘制。实际上,为了清楚讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或缩小。

图1A示意性地展示了根据一些实施例的制造集成电路芯片的电容器结构的方法步骤。

图1B示意性地展示了沿图1A中的线I-I所描述的结构的截面图。

图2A示意性地展示了根据一些实施例的制造集成电路芯片的电容器结构的方法步骤。

图2B示意性地展示了沿图2A中的线II-II所描述的结构的截面图。

图3A示意性地展示了根据一些实施例的制造集成电路芯片的电容器结构的方法步骤。

图3B示意性地展示了沿图3A中的线III-III所描述的结构的截面图。

图4A示意性地展示了根据一些实施例的制造集成电路芯片的电容器结构的方法步骤。

图4B示意性地展示了沿图4A中的线IV-IV所描述的结构的截面图。

图5示意性地展示了根据一些实施例的集成电路芯片的电容器结构。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。以下描述组件或布置的具体实例以简化本发明。当然,这些仅仅是实例,而不旨在约束本发明。例如,在以下的描述中,在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件被形成为直接接触的实施例,并且也可以包括可以在第一部件和第二部件形成其他部件使得第一部件和第二部分不直接接触的实施例。而且,本发明在各个实例中可重复参考数字和/或字母。这些重复是为了简化和清楚的目的,并且其本身并不表示所讨论的多个实施例和/或配置之间的关系。

此外,为了便于描述,本文中可以使用诸如“在...下方”、“在...下面”、“下部”、“在...上面”、“上部”等的空间关系术语,以描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除图中所示的定向之外,空间关系术语还包括使用或操作中器件的不同定向。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上),以及本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。

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