[发明专利]用于图像处理的装置有效

专利信息
申请号: 201710105815.X 申请日: 2017-02-24
公开(公告)号: CN108513042B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 乔飞;贾凯歌;刘哲宇;魏琦;陈海 申请(专利权)人: 清华大学;华为技术有限公司
主分类号: H04N5/14 分类号: H04N5/14;G06N3/04;G06N3/08
代理公司: 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 代理人: 时林;毛威
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 用于 图像 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种用于图像处理的装置,其特征在于,所述装置包括:

第一物理计算单元,用于接收图像传感器输出的多个第一模拟信号,并对所述多个第一模拟信号进行卷积运算,以得到第二模拟信号,所述多个第一模拟信号与待识别图像的多个像素数据一一对应,

其中,所述第一物理计算单元由至少一个乘法电路阵列和至少一个减法电路组成,所述至少一个乘法电路阵列与所述至少一个减法电路一一对应,每个乘法电路阵列中包括多个乘法电路,每个乘法电路由差分对管构成,每个乘法电路阵列通过所述多个乘法电路和所对应的减法电路实现对所述多个第一模拟信号的卷积运算,其中,每个乘法电路阵列中包括的多个差分对管的差模输入电压作为所述乘法电路阵列进行卷积运算的卷积核,所述至少一个乘法电路阵列的卷积核互异。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,每个差分对管包括第一金属氧化物半导体MOS管和第二MOS管,所述第一MOS管和所述第二MOS管工作在亚阈值区。

3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述减法电路包括两个输入接口和一个输出接口,每个差分对管包括的第一MOS管的漏极作为所对应的乘法电路的第一输出接口,每个差分对管包括的第二MOS管的漏极作为所对应的乘法电路的第二输出接口,所述乘法电路阵列中所有乘法电路的第一输出接口连接至所述减法电路中的一个输入接口,所述乘法电路阵列中的所有乘法电路的第二输出接口连接至所述减法电路中的另一个输入接口,以及,

所述减法电路包括两个P沟道电流镜PMIR和一个N沟道电流镜NMIR,所述减法电路的一个输入接口通过所述两个PMIR中的一个PMIR连接至所述减法电路的输出接口,所述减法电路的另一个输入接口通过所述两个PMIR中的另一个PMIR和所述NMIR连接至所述减法电路的输出接口。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:

第二物理计算单元,用于对所述第二模拟信号进行池化运算,得到第三模拟信号,所述第二物理计算单元由电流镜电路组成。

5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述第二模拟信号为多个,以及,

所述第二物理计算单元由至少一个电流镜电路组成,所述至少一个电流镜电路与所述至少一个乘法电路阵列一一对应,每个电流镜电路用于对所对应的乘法电路阵列输出的第二模拟信号进行池化运算。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:

第三物理计算单元,所述第三物理计算单元的输入接口与所述第一物理计算单元的输出接口相连接,以对所述第二模拟信号进行非线性映射处理,得到第四模拟信号;

第四物理计算单元,所述第四物理计算单元的输入接口与所述第三物理计算单元的输出接口相连接,以对所述第四模拟信号进行池化运算,所述第四物理计算单元由电流镜电路组成。

7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述第三物理计算单元由包括第三MOS管和第四MOS管的电路组成,所述第三MOS管和所述第四MOS管工作在亚阈值区。

8.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:

第五物理计算单元,所述第五物理计算单元输入接口与所述第二物理计算单元的输出接口相连接,以对所述第三模拟信号进行非线性映射处理。

9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述第五物理计算单元由包括第五MOS管和第六MOS管的电路组成,所述第五MOS管和所述第六MOS管工作在亚阈值区。

10.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述池化运算为均值池化运算。

11.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述池化运算为均值池化运算。

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