[发明专利]二硫化钼纳米片原位修饰生物陶瓷支架及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种二硫化钼纳米片原位修饰生物陶瓷支架，其特征在于，包括镁黄长石生物活性陶瓷支架和原位生长于所述镁黄长石生物活性陶瓷支架表面的二硫化钼纳米片。

2.根据权利要求1所述的二硫化钼纳米片原位修饰生物陶瓷支架，其特征在于，所述镁黄长石生物活性陶瓷支架是通过3D打印制得的。

3.根据权利要求1或2所述的二硫化钼纳米片原位修饰生物陶瓷支架，其特征在于，所述二硫化钼纳米片的片径为300～600nm，厚度为2～4nm，二硫化钼纳米片构成的整个层的厚度为1～5μm。

4.根据权利要求1或2所述的二硫化钼纳米片原位修饰生物陶瓷支架，其特征在于，镁黄长石生物活性陶瓷支架和二硫化钼纳米片之间还存在过渡层，所述过渡层中含有Ca、Mg、Si、O、Mo和S元素，所述过渡层的厚度为3～4μm。

5.一种权利要求1至4中任一项所述的二硫化钼纳米片原位修饰生物陶瓷支架的制备方法，其特征在于，将镁黄长石生物活性陶瓷支架置于含有钼源和硫源的水溶液中，在120～180℃进行水热反应，得到二硫化钼纳米片原位修饰生物陶瓷支架。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述镁黄长石生物活性陶瓷支架的通过如下方法制备：

将镁黄长石陶瓷粉：海藻酸钠：F127水溶液以质量比为1：（0.05～0.07）：（0.4～0.6）进行混合得到糊状物；

将所得糊状物置入三维打印机中进行三维打印，得到坯体；

将所得坯体在1000～1350℃烧结3～5小时，制得镁黄长石生物活性陶瓷支架。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，在所述含有钼源和硫源的水溶液中，钼离子的浓度为0.05～0.20 mol／L，硫元素的浓度为0.21～0.86 mol／L。

8.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述钼源为可溶性钼酸盐；所述硫源为硫脲。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述钼源为四水钼酸铵、四水钼酸钠。

10.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，水热反应时间为10～24 小时。

11.一种权利要求1至4中任一项所述的二硫化钼纳米片原位修饰生物陶瓷支架在制备骨肿瘤与修复骨缺损材料中的应用。